集微網消息 （記者/茅茅、小北），從2017年以來，DRAM價格一路高歌猛進，三星、海力士和美光在這一輪的行情中獲得了豐厚的利潤。這一市場異變得到了中國反壟斷機構的關注，據集微網了解，5月31日，中國反壟斷機構分別對美光、三星、海力士三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調查”和現場取證，標志著中國反壟斷機構正式對三家企業展開立案調查。

　　據集邦咨詢的數據，2018年*一季三星、海力士、美光在DRAM產業的市占率合計共占95.4%的市場份額，而中國存儲廠商在該市場的份額依然為零。目前，我國存儲領域已形成包括發展NAND Flash的長江存儲，專注移動式內存的合肥長鑫以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。值得注意的是，今年將是中國存儲產業發展的關鍵節點，那么三家廠商目前的進度如何？

　　福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華集成電路，JHICC)是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產力布局規劃。

　　晉華集成電路與臺灣聯華電子開展技術合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領域。企業用地面積約600畝，一期總投資370億元。工程建設方面，采取EPC總承包模式，交叉推進設計、采購、施工各個環節；項目運作模式為邊建設、邊引才、邊研發。

　　集微網記者于5月26日參觀晉華集成電路公司，了解到當前廠房正進行內部裝修和機電安裝。

　　按計劃，6月工程建設竣工，9月正式投產，預計投產后的一期項目可實現月產6萬片12英寸晶圓的產能。

　　晉華項目宣傳片指出，晉華以三星海力士等行業巨頭為標桿，力爭通過自主研發實現對行業領先制造工藝的趕超。對比國內同類項目晉華項目建設進度優勢明顯，有望成為國內首家擁有自主技術的內存龍頭企業。

　　據悉，晉華集成電路在人才團隊方面，采取海內外人才招聘與人才培訓相結合的方式。按計劃，2018年人才隊伍將達1200人，目前已招募人員800多人。

　　由于晉江集成電路產業基礎較薄弱，晉江市以晉華項目為龍頭，構建“三園一區”產業發展空間載體，打造設計、制造、封裝測試、裝備與材料、終端應用的集成電路全產業鏈生態圈，其目標是到2025年可形成1000億產業規模。據悉，臺灣矽品、臺灣芝奇、美國空氣化工等20多個產業鏈項目已落地晉江，總投資近600億元，產業鏈生態圈正逐步形成。

　　睿力集成電路有限公司由北京兆易創新與合肥市產業投資控股集團合資，兆易創新出資20%，公司主要研發19納米制程的12英寸晶圓DRAM，目標2018年12月底研發成功。

　　據集微網了解，當前，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目正處在加快建設的階段，該項目一旦正式投產，預計將在全球DRAM市場占得約8%的市場份額，從而填補國產DRAM存儲器在本國市場的空白。

　　值得一提的是，在今年4月的一次公開活動上，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執行官王寧國首次高調亮相并介紹了合肥長鑫存儲器項目的5年規劃：2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底量產8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產8Gb LPDDR4；2019年底實現產能2萬片/月；2020年開始規劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發。

　　王寧國表示，希望2018年底*一個中國自主研發的DRAM芯片能夠在合肥誕生。同時，王寧國透露，長鑫睿力已經與北方華創簽約，未來還會與更多的國內設備和材料廠商簽約合作。

　　據臺媒Digitimes報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發設備已基本全部到位，待裝機完成之后，從2018年下半年開始便全力投入試生產的環節。

　　同時，據TrendForce存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，合肥長鑫的廠房已于2017年6月封頂完工，并且于第3季開始移入測試用機臺。由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠*重要產品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權外，初期可能將鎖定于中國銷售。

　　除此之外，據集微網5月9日*新消息顯示，美國半導體技術供應商Rambus與兆易創新成立合資公司合肥睿科微電子有限公司，并同時完成由清控銀杏聯合領投的A輪融資。這家新的合資企業致力于電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業化，將把下一代內存技術推向市場，同時，在這一合作中中資將占據主導地位，知情人士表示，公司總投資額為五千萬美元。

　　雖然兆易創新與Rambus目前僅簽署了協議，合資公司尚未成立。至于成立的具體時間，由于合資公司需要經過美國方面的審批，公司注冊及具體成立時間需要等到批準之后才能確定。

　　長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上正式成立，公司主要股東包括大基金和紫光集團、湖北省科投以及湖北國芯產業投資基金等，目前為清華紫光集團的子公司。作為國家級存儲項目基地，長江存儲總投資金額達240億美元。預計項目一期建成后總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

　　目前，長江存儲首批400萬美元的精密儀器已于4月5日抵達武漢，未來兩年內將從全球多地進口近3萬噸精密儀器至漢。4月11日，長江存儲武漢基地芯片生產機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段。據了解，設備搬入、調試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規模試產，如順利，今年四季度，中國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實現量產。

　　值得一提的是，當天搬入的設備只是*一臺，隨后要陸續從世界各地搬入各類高精密的芯片生產機臺進行調試，數量達2000多臺。設備調試完成后，才可以規模量化生產芯片。

　　此外，5月19日，集微網曾報道，長江存儲的首臺光刻機已運抵武漢天河機場，設備相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。據集微網獨家消息，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長江存儲的*一臺光刻機，陸續還會有多臺運抵。

　　同時，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國強調，在生產廠房于去年9月提前一個月封頂、32 層三維 NAND 閃存芯片自主研發取得重大突破的基礎上，現在我們又提前20天實現了芯片生產機臺搬入。未來十年，紫光計劃至少將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元。

　　紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全透露，長江存儲的3D NAND閃存已經獲得*一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產品。

　　今年底，基地就將實現國產3D閃存的小規模量產，用不了多久就能看到基于國產閃存的智能手機、SSD固態硬盤。明年，長江存儲還將開始64層堆疊閃存，單顆容量 128Gb(16GB)。

　　據TrendForce存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，從中國廠商NAND Flash的發展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，官方預期分3階段，共建立3座3D NAND Flash廠房。*一階段廠房已于2017年9月完成興建，預定2018年第3季開始移入機臺，并于第4季進行試產，初期投片不超過1萬片，用于生產32層 3D NAND Flash產品，并預計于自家64層技術成熟后，再視情況擬定第2、3期生產計劃。

　　當然，在人才方面，長江存儲也十分重視。集微網曾報道，前電子信息司副司長彭紅兵已經出任大基金副總裁兼長江存儲監事會*。

　　除此之外，據日經中文網報道，在日本川崎市有一家新成立的企業名為JYM技術株式會社，而實際上就是長江存儲科技（YMTC）。相關人士透露，川崎市基地的面積可供100人工作，剛剛在日本啟動了招聘活動。同時，長江存儲科技2016年秋在美國硅谷開設了研發基地，從存儲器巨頭美國美光科技等處挖來技術人員，以40人的規模啟動研發工作。

　　發布PCle4.0固態硬盤致態TiPro7000 順序讀取速度740MB/s

　　2021年12月29日，長江存儲重磅發布全新消費級旗艦固態硬盤產品致態TiPro7000。該產品采用基于Xtacking?（晶棧） 2.0架構的長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCle Gen4x4接口、NVMe 1.4協議，順序讀取速度高達7400MB/s。該產品為電競、高端游戲量身定制，同時滿足多種設計應用需求，為消費者帶來全新的高速存儲體驗。長江存儲自2020年9月以來，相繼推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款產品。該系列產品一經推出就以高性能、高可靠性備受市場推崇。憑借著這三款產品，長江存儲與廣大消費者建立了緊密的聯結，直接聆聽消費者的反饋和建議。經過一年多的打磨，全新旗艦產品TiPro70

　　發布PCle4.0固態硬盤致態TiPro7000 順序讀取速度740MB/s /

　　Xperi公司日前宣布，該公司已與長江存儲簽署了一項許可協議，該協議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術相關的半導體知識產權的基礎組合。Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示：“Xperi 的 DBI 混合鍵合是當前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存的關鍵使能技術，我們自豪地向長江存儲提供我們的基礎知識產權組合，并期待進一步擴大我們的合作關系。”據了解，混合鍵合3D集成技術正越來越多地應用于各種半導體器件，如傳感器、存儲器和邏輯器件，以便在降低尺寸和成本的同時增強性能和功能。在3D NAND應用中，DBI 混合鍵合技術能夠分解存儲器陣列和邏輯電路，從而為每個應用提供*佳的晶圓工藝節點。公

　　國內內存模塊供應商“嘉合勁威”公眾號發布消息稱，旗下高端品牌阿斯加特將發布新品AN4 PCle4.0 SSD，閃存顆粒采用長江存儲128層3D TLC NAND，這也意味著長江存儲128層3D NAND閃存產品成功量產。2018年底，長江存儲宣布將跳過64層和96層，于2020年底開始量產128層3D NAND閃存。韓媒BusinessKorea援引業內人士表示，長江存儲去年4月即開發了128層3D NAND閃存技術，但由于疫情和母公司紫光集團的影響，量產計劃被推遲。2018年長江存儲的技術水平是32層，而三星電子從2014年開始生產32層。隨著長江存儲在2021年成功量產128層（三星電子和SK海力士分別在2019年8月和去年第二

　　2021年7月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）發現多家網絡媒體轉發長江存儲和美國貿易限制清單相關的新聞和消息。對此，長江存儲鄭重聲明如下：1. 長江存儲自成立至今，始終秉承守法合規的經營理念。在國內外各項業務中，長江存儲嚴格遵守所在地法律法規；2. 長江存儲所提供的產品與服務均為面向商用及民用市場；3. 長江存儲遵守WTO公平貿易原則，專注于技術自主研發并充分尊重第三方的知識產權；4. 目前長江存儲生產經營各項業務均在上述原則基礎上正常開展。長江存儲科技有限責任公司2021年7月16日

　　回應實體清單傳言：國內外各項業務均守法 /

　　7月13日上午，據外媒報道稱，美國國會部分議員已于當地時間12日致信美國商務部部長雷蒙多（Raimondo），要求其考慮將中國存儲芯片制造企業長江存儲列入“實體清單”。美國議員要求將長江存儲列入“實體清單”報道稱，該信函指出，長江存儲是由政府控制并與軍方關聯的企業，其制造的存儲芯片可廣泛應用于國防、人工智能和航天領域。同時，該信函還稱，長江存儲的管理人員之前在中芯國際和中國軍方有關的工業和信息化部工作過。除此之外，該信函還表示，長江存儲通過其母公司清華控股的巨大的分公司網絡和附屬公司向中國軍方供貨的。基于以上這些所謂的“證據”，相關美國國會議員認為，長江存儲與中國軍方有關系，要求美國商務部“在這件緊急事務上發揮領導作用”，把長江存儲

　　近日，華特氣體在接受機構調研時表示，Q2業績增長主要還是半導體廠的放量，以長存、中芯等半導體企業為主，增速明顯。其他原因，主要是去年新認證了半導體客戶通過認證的有慢慢的產生訂單，另外就在原有半導體客戶導入了品類，也有部分通過了并產生了訂單。在客戶認證方面，華特氣體稱，今年認證通過的有高純氨通過積塔8寸線認證，IGBT第三代功率半導體的碳化硅廠-泰科天潤認證通過，一季度產生訂單；鍺烷也通過了德國*大半導體廠英菲林的認證；公司的光刻氣 Ar/Ne/Xe 也獲得全球第二大光刻機生產廠商日本GIGAPHOTON的認證通過；海思去年認證的幾個產品，有陸續通過認證，今年也有部分供貨；還有蘇州的英諾賽科去年也認證了幾個產品，今年也有部分陸續的產生

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