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　　國內首家DRAM供應商誕生：10nm級工藝 月產能將占全球3%

　　近日，據外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內頭部家也是唯一一家DRAM供應商。長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成頭部座300毫米晶圓廠并投產，并通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。長鑫內存自主制造項目總投資1500億元，將生產國產頭部代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。該晶圓廠每月產量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速

　　長鑫存儲公布新路線nm計算機存儲器

　　長鑫存儲技術有限公司（CXMT）已經開始生產基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產各種類型的動態隨機存儲器（DRAM）。為了提升產量，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

　　國產雄起！合肥長鑫19nm DRAM內存芯片產能增加

　　存儲器產品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內存芯片占比蕞高，有20%以上。蕞新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產能，目標是月產4萬片晶圓。在9月份開幕的201 9世界制造業大會上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主制造項目投產，將生產國產頭部代10nm級8Gb DDR4內存。長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹，投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。據悉，長鑫的DRAM技術

　　長鑫存儲宣布其設計產能12萬片生產線投產

　　新華社消息，在合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級頭部代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產投與兆易創新共同出資組建。目前，項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹，長鑫存儲投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投

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