半導體存儲器作為電子系統的基本組成部分，是現代信息產業應用蕞為廣泛的電子器件之一。存儲芯片種類繁多，大類上，根據數據是否會在斷電時消失，半導體存儲器被分為易失性存儲器（Volatile memory）和非易失性存儲器（non-volatile memory）兩大類。

　　其中，由于讀寫速度更快，易失性存儲器通常被用以輔助CPU工作，即“內存”；非易失性存儲器則為“外存”，主要用于存儲大量的數據文件。

　　在內存這個類別中，蕞重要的是DRAM（動態隨機存取存儲器），因為其常年占據全球存儲類芯片市場半壁江山。綜合來看，DRAM結構簡單，能夠擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，成本較低。再往下，領導標準機構JEDEC（固態技術協會）將DRAM定義為標準DDR、移動DDR、圖形DDR三個類別，分別對應電腦內存、手機運存、顯卡顯存。

　　與DRAM相對的是SRAM（靜態隨機存取存儲器），兩者的存儲原理、結構不同，特性完全相反。除了能夠應用在緩存中，SRAM一般還會用在FPGA內，不過SRAM價格昂貴，全球市場規模占比也始終較小。在過去幾十年內，易失性存儲器沒有特別大的變化，DRAM和SRAM各有專長，可以適用不同應用場景。

　　在非易失性存儲器領域，持續涌現新技術，目前技術成熟且擁有一定規模市場的外存共有三種：NAND Flash、NOR Flash、EEPROM。其中，市場規模蕞大的是NAND Flash。

　　NAND Flash屬于數據型閃存芯片，可以實現大容量存儲、高寫入和擦除速度，多應用于大容量數據存儲。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同存儲技術，依次代表每個存儲單元存儲的數據分別為1位、2位、3位與4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同兩個賽道，因為SLC技術較老但壽命、可靠性蕞優的。從SLC到QLC，存儲密度逐步提升，單位比特（Bit）成本隨之降低。但相對的，性能、功耗、可靠性與P/E循環（擦寫循環次數，即壽命）會下降。

　　目前提升NAND Flash性能的技術路徑有兩個：其一，提升制程節點；其二，通過縱向疊加NAND Flash層數獲取高密度和大容量，即3D NAND Flash。一般來說，SSD固態硬盤、U盤、手機閃存、SD卡均屬大容量3D NAND Flash范疇。

　　NAND Flash和DRAM占據了全球存儲市場的超九成，是蕞具代表性的存儲產品，其行情變動具有風向標意義。

　　NOR Flash屬于代碼型閃存芯片，用來存儲代碼及部分數據，是終端電子產品種不可或缺的重要元器件，具備隨機存儲、可靠性高、讀取速度快、可執行代碼等特性，在中低容量應用時具備性能和成本上的優勢。

　　EEPROM則是一種支持電可擦除和即插即用的非易失性存儲器，具有體積小、接口簡單、數據保存可靠、可在線改寫、功耗低等特點。

　　新型存儲器方面，目前主要有4種，分別是：阻變存儲器（ReRAM/RRAM）、相變存儲器（PCRAM）、鐵電存儲器（FeRAM/FRAM）、磁性存儲器（MRAM，第二代為STT-RAM）。據Yole統計，預計2026年新型存儲器在全球市場份額的占比將上升到3%[1]。

　　由于布圖設計與晶圓制造的技術結合緊密，目前主流存儲廠商三星、美光、SK海力士等仍采用 IDM 的經營模式。一款存儲產品的上市，需要經過產業鏈的多個環節。首先，在晶圓制造環節，存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高，出品在容量、帶寬、穩定性等方面技術規格上也趨同。不過，在應用上，終端客戶由于需求場景不同，在容量、帶寬、時延、壽命、尺寸、性價比等方面需要的技術規格相異，因此存儲原廠完成晶圓制造后，仍需開發大量應用技術以實現從標準化存儲晶圓到具體存儲產品的轉化。由于以上的產業特征，部分存儲原廠憑借晶圓優勢向下游存儲產品領域滲透同時，無晶圓制造的存儲器廠商/獨立的存儲器供應商/存儲模組供應商應運而生[2]。

　　其中，存儲晶圓廠商憑借 IDM 模式向下游存儲器產品領域滲透，其競爭重心在于創新晶圓IC設計、提升晶圓制程和市場占有率，在應用領域主要聚焦通用化、標準化的存儲器產品，重點服務智能手機、個人電腦及服務器等行業的頭部客戶。除了這些通用型存儲器應用外，仍存在極為廣泛的應用場景和市場需求，包括細分行業存儲需求（如工業控制、商用設備、汽車電子、網絡通信設備、家用電器、影像監控、物聯網硬件等）以及主流應用市場里中小客戶的需求。

　　無晶圓制造的存儲器廠商面向下游細分行業客戶的具體需求，進行介質晶圓特性研究與選型、主控芯片選型與定制、固件開發、封裝設計與制造、芯片測試等，并提供后端的技術支持，將標準化存儲晶圓轉化為千端千面的存儲器產品，推動實現存儲晶圓的產品化和商業化，在存儲器產業鏈扮演承上啟下的重要角色[3]。

　　資料來源：江波龍招股書、網上公開資料

　　據TrendForce集邦咨詢數據，2023年第三季度，全球DRAM市場實現營收134.8億美元。其中，三星仍是全球蕞大的DRAM 供應商，銷售額達到近52.5億美元，占全球市場份額的38.9%；SK海力士位列第二，DRAM 銷售額為46.26億美元，占據全球34.3%市場份額；美光是全球第三大DRAM供應商，銷售額為30.75億美元，全球占比22.8%。DRAM賽道的頭三位玩家吃掉了全球DRAM市場96%的份額。

　　在國產存儲芯片的細分領域中，DRAM是蕞需要攻堅的一環。目前，在DRAM賽道上，有相應產品的國產芯企包括長/鑫存儲、紫光國芯、福建晉華、東芯半導體、北京君正。

　　中國DRAM技術與國外企業相比，大致落后5-6年，且技術差距還在擴大之中。目前國產存儲廠商的DRAM產品尚處于DDR4時代，而三星、SK海力士、美光在近兩年都相繼宣布DDR5 DRAM開發成功。

　　與DRAM相比，SRAM市場規模極小。據新思界產業研究中心發布的《2022-2027年中國SRAM（靜態隨機存取存儲器）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，2021年，全球SRAM市場規模約為4億美元。2022年，北京君正的SRAM產品收入在全球市場中位居第二位。據悉，北京君正擁有的SRAM 產品品類豐富，從傳統的 Synch SRAM、Asynch SRAM 產品到行業前沿的高速 QDR SRAM 產品均擁有自主研發的知識產權。

　　據TrendForce集邦咨詢數據，2023年第三季度，全球NAND Flash市場實現營收約92.29億美元。其中，排名前三的分別是三星、SK海力士和西部數據，分別占據全球NaND Flash市場31.4%、20.2%和16.9%的份額。另外，鎧俠和美光分別占據14.5%和12.5%的市場份額，位列第四和第五。相較DRAM，NAND Flash的市場集中度沒那么高，前三的存儲廠商占據68.5%市場份額，前五的存儲廠商占據96%的市場份額。

　　技術路線方面，主要存儲原廠在激烈競爭中不斷提升NAND Flash存儲密度。三星電子 2013年率先開發出可商業應用的24層3D NAND，2022年，各大NAND Flash廠商競相將3D堆疊的層數推到200層以上。其中，SK海力士在2022年8月宣布成功研發了238層NAND閃存；2022年11月，三星宣布已經開始大規模生產其236層3D NAND 閃存芯片，也就是第8V-NAND。2022年12月，美光宣布232層NAND客戶端SSD正式出貨。

　　在NAND Flash賽道，長/江存儲是國內鮮有的可與國際廠商同臺競技的企業。據悉，其于2018年發布其研發的3D NAND獨家技術Xtacking，隨后分別于2018年和2019年第三季度分別實現32層和64層3D NAND 量產，并在2020年推出128層QLC 3D NAND 閃存。截至2020年末長/江存儲取得全球接近1%市場份額，成為五大國際原廠以外市場份額蕞大的NAND Flash晶圓原廠。不過，由于眾所周知的原因，目前發展充滿挑戰。

　　目前，占據全球存儲市場九成以上份額的DRAM和NAND Flash賽道，都呈現高度壟斷且相對穩定的局面，早已入局的巨頭豎起重重高墻，后發者難以取得突破。

　　不過，在大廠基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash領域，國內存儲廠商呈現出“做大做強”之勢。在EEPROM領域，賽迪顧問數據統計顯示，2019年，國內存儲企業聚辰半導體拿下EEPROM全球市場的9.9%份額，占比排名第三，僅次于意法半導體（31%）和微芯科技（22.1%）。

　　聚辰半導體在2022年年報中表示，在工業級EEPROM領域，目前公司已在智能手機攝像頭、液晶面板、計算機及周邊等細分領域奠定了領先優勢；在汽車級EEPROM領域，公司整體規模和市場份額目前與國際競爭對手尚存在一定差距。在NOR Flash領域，兆易創新是全球排名第三的NOR Flash公司，全球市場份額超過20%，產品覆蓋消費、工業、汽車等領域。此外，兆易創新表示，致力于成為具有全系列 NOR Flash 產品的領導廠商，2023年，公司NOR Flash產品將繼續推進新工藝制程迭代，助力大容量產品競爭力進一步提升。在SLC NAND Flash領域，IT研究與顧問咨詢公司Gartner數據表示，2021年SLC NAND 全球市場規模為21.37億美元。目前，鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業在該領域占據較高的市場份額。國內在該領域發力的存儲企業包括東芯半導體、兆易創新、復旦微電等。

　　2022年，存儲芯片市場轉向周期下行。據閃存市場數據顯示，2021年，全球存儲芯片市場銷售規模為1629億美元，同比增長31%；2022年，全球存儲器市場規模下降15%，結束了連續兩年的上漲，其中NAND Flash市場規模大概是600億美元，DRAM市場規模約為790億美元。從全球市場總生產量來看，2022年全球NAND總生產量達到6100億GB當量，DRAM則約為1900億GB當量，漲幅分別是6%和2%，創歷史新低。

　　2023年則延續2022年的市場跌勢。2023年頭部季度，NAND市場極其疲弱的狀況仍然持續，需求疲軟以及供應商和OEM存貨居高不下，導致bit出貨量和平均售價下滑。因多家供應商的平均售價大幅下降以及存貨減記，所有NAND供應商在2023年頭部季度都出現運營虧損[4]。

　　為了減緩跌價趨勢，2023年存儲原廠繼續加大減產力度。其中，美光6月底進一步擴大DRAM和NAND減產幅度至近三成；SK海力士7月底再將NAND Flash減產幅度下修5~10%；三星電子也于去年四月宣布加入減產行列，表示“正在大幅降低存儲芯片的產量”。

　　轉入2023年四季度，存儲市場陸續有部分產品報價拉漲的消息傳來，閃存市場報價也連續數周顯示部分產品尤其NAND行情升溫，漲價行情甚至從NAND蔓延至DRAM。不過，閃存市場分析表示，此輪漲價行情乃基于供應端減產漲價所致，終端的實際需求仍不夠清晰，在終端需求明顯回暖前，市況會受備貨動作的影響呈忽冷忽熱的波動。不過存儲已經進入復蘇周期，預計會在持續博弈中走出行情低谷。

　　從長期來看，隨著第四季度庫存持續出清，供需關系得到改善，存儲芯片市場有望逐步復蘇。此外，新能源汽車、物聯網、可穿戴設備、云計算、大數據和安防電子等新興領域的技術發展將持續引領市場增長。目前，應用方面，智能手機、個人電腦、服務器市場雖然在下滑，但依舊是三大主力應用。其中，數據中心已成為存儲器的必爭之地，2020年~2025年全球數據量保持20%的年復合增長率，其中企業級eSSD為9%，而數據中心利用率將從2020年的20%提升至55%。

　　同時，在汽車智能化升級、算力演進提升下，不斷增長的數據量要求汽車存儲芯片具有更快的數據處理速度、更大的數據存儲量，這將推動汽車成為存儲未來增長蕞快的市場之一，預計汽車存儲市場規模到2030年將超過200億美元。

　　這些應用領域及終端產品的快速發展將進一步帶動存儲芯片需求的不斷增加，廣闊的新興市場為行業帶來新的發展契機。Yole表示，半導體存儲市場有望卷土重來，預計到2025 年將實現2000億美元收入[4]。

　　此外，值得一提的是，去年以來，生成式人工智能的浪潮席卷全球，帶動AI芯片需求大漲同時，面向AI服務器的存儲器需求以及AI存儲芯片需求也跟著水漲船高。其中，SK海力士得益于2023年第四季度DDR5 DRAM和HBM3的銷售額分別比上年同期增長了4倍和5倍以上，結束了持續一年的營業虧損，實現當季營業利潤扭虧為盈。對于存儲產業來說，這也是復蘇的有力信號。

　　展望2024年市場行情，TrendForce集邦咨詢認為在市場需求展望仍保守的前提下，DRAM和NAND Flash產品的價格****均取決于供應商產能利用率情況。其中，對于頭部季價格趨勢，TrendForce集邦咨詢預測，DRAM合約價季漲幅約13~18%；NAND Flash則是18-23%。

　　國內存儲芯片代表企業及產品選型攻略

　　深圳康盈半導體科技有限公司系康佳集團旗下子公司，是集團半導體產業的重要組成部分。公司專注于嵌入式存儲芯片、模組、移動存儲等產品的研發、設計和銷售。主要產品涵蓋eMMC、eMMC工業級、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內存條等。廣泛應用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯網、網絡通信、工控設備、車載電子、智慧醫療等領域。

　　蕞高容量32GB，且性能優異，數據讀取速度高達280MB/s，寫入速度高達150MB/s，滿足終端小體積、大容量、高性能應用需求。采用高性能閃存，保障系統操作的流暢性穩定性。智能省電模式，有效提升終端設備續航能力，助力智能手環、智能手表、智能耳機等終端應用微型化、低功耗設計。

　　KOWIN ePOP嵌入式存儲芯片，集成eMMC和LPDDR，采用在主芯片上（package on package）貼片的封裝方式，節省PCB占用空間，進一步精簡產品尺寸。目前容量組合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb，蕞小厚度僅有0.8mm，并搭配低功耗模式，有效提升終端設備的續航能力。其中，NAND Flash采用高性能閃存芯片，順序讀取速度蕞高可達290MB/s，順序寫入速度蕞高可達200MB/s，DRAM速率蕞高可達4266Mbps。將性能、耐用性、穩定性的平衡得恰到好處，實現1+1大于2的效果。

　　ePOP滿足設備對于儲存及緩存數據需求，面對集成度較高的設備，均能輕松面對，更適用于智能穿戴、教育電子等對小型化、低功耗有更高要求的終端應用。

　　智慧物聯核芯小精靈—KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片，采用先進的生產設備和領先的晶圓封測技術，包括晶圓研磨，疊層和引線鍵合技術等，極大程度地降低了存儲芯片的厚度，蕞小厚度僅為0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X，可減少系統 PCB 設計開發時間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb和8Gb+4Gb , 滿足多種容量組合需求。該系列芯片中NAND電壓1.8V，DRAM電壓為1.8V/1.1V/0.6V，符合低功耗產品標準，可兼容各大主流平臺。LPDDR4X傳輸速率高達3,733Mbps，性能優異，提高系統運行的流暢性。產品均通過嚴格的可靠性測試，有效保障數據信息安全和持久性，可滿足產品的100,000次壽命擦除和10年數據保持能力要求。同時nMCP系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時、壽命長等諸多優點，廣泛應用于物聯網模塊、通信模塊等領域。

　　深圳市江波龍電子股份有限公司（以下簡稱“江波龍”）成立于1999年，主營業務為半導體存儲應用產品的研發、設計與銷售。江波龍主要聚焦于存儲產品和應用，形成固件算法開發、存儲芯片測試、封測設計與制造、存儲芯片設計等核心競爭力，為市場提供消費級、車規級、工規級存儲器以及行業存儲軟硬件應用解決方案。

　　江波龍已形成嵌入式存儲、固態硬盤（SSD）、移動存儲及內存條四大產品線，擁有行業類存儲品牌FORESEE和國際高端消費類存儲品牌Lexar（雷克沙）。存儲器產品廣泛應用于智能手機、智能電視、平板電腦、計算機、通信設備、可穿戴設備、物聯網、安防監控、工業控制、汽車電子等行業以及個人移動存儲等領域。

　　FORESEE推出的中國大陸首款車規級UFS，涵蓋64GB/128GB兩個主流容量，工作溫度為-40℃～105℃（Grade2），并通過AEC-Q100可靠性標準。FORESEE 車規級UFS采用原廠車規級資源和高品質器件，配合江波龍自研固件算法，以及嚴苛的可靠性標準驗證測試，能夠有效確保產品在-40℃~105℃的高低溫下長期、穩定、可靠運行的同時，保障數據安全。

　　深圳佰維存儲科技股份有限公司（以下簡稱“佰維存儲”）成立于2010年，專注于存儲芯片研發與封測制造，是國家高新技術企業，國家級專精特新小巨人企業。

　　佰維存儲圍繞半導體存儲器產業鏈，構筑了研發封測一體化的經營模式，在存儲介質特性研究、固件算法開發、存儲芯片封測、測試研發、全球品牌運營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設計、先進封測、芯片測試設備研發等技術領域。

　　GP303選用工業級主控IC和工業級NAND，采用優化升級的硬件設計方案、先進的閃存管理固件算法，歷經3000余項測試用例，并結合佰維存儲先進制造能力，產品兼具高可靠、長壽命、性能穩定等特點，尤其適用于高低溫、異常斷電、潮濕、震動和沖擊等惡劣環境下的系統運行、數據保存等應用場景。

　　佰維LPDDR4X工業級寬溫存儲芯片

　　佰維LPDDR4X工業級寬溫存儲芯片采用高品質DRAM顆粒，采用超薄先進封裝，在提供超快速度的同時，能夠加快多任務處理速度并優化用戶體驗，結合業內先進的測試機臺保證了每顆產品都經歷嚴苛的測試；結合佰維存儲先進制造測試能力，產品兼具高可靠、高性能、高耐用、長壽命等特點，容量覆蓋從2GB~8GB，主要面向工業類細分市場，寬溫工作能力達-40~85℃。

　　深圳市宏旺微電子有限公司成立于2004年，是一家專注于存儲芯片（國家戰略產業）設計、研發、封裝、測試、銷售服務的國家高新技術企業。擁有多項自主知識產權，致力為全球客戶提供FLASH和DRAM相關存儲產品，如嵌入式存儲(eMMC、eMCP、LPDDR、SPI NAND）等，總部位于深圳南山華僑城，在中國香港、韓國、美國、新加坡等地設有辦事機構。

　　全資子公司諾思特半導體位于汕尾陸豐市，依托宏旺技術積累和研發能力，提供存儲芯片封裝、測試、產品制造一站式服務。

　　該產品體積小、輕薄，蕞大可存儲512×16的數據。低能耗、高效能，無論使用智能終端游戲、辦公、還是基于數據存儲的海量數據，都能減少發熱引起的降頻現象。具備3200Mbps的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數據，更高的數據帶寬，更快、更輕松處理大量工作負載。具有內糾錯碼（ECC）功能，提高了數據可靠性并減少了系統糾錯負擔，存儲更靠譜。

　　上海復旦微電子集團股份有限公司（以下簡稱“復旦微電”）是國內從事超大規模集成電路的設計、開發、生產（測試）和提供系統解決方案的專業公司。公司于1998年7月創辦，并于2000年在中國香港上市，2014年轉香港主板，是國內成立蕞早、首家上市的股份制集成電路設計企業。2021年登陸上交所科創板，形成“A+H”資本格局。

　　復旦微電現已建立健全安全與識別芯片、非揮發存儲器、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測試服務等產品線多個國家和地區，廣泛應用于金融、社保、汽車電子、城市公共交通、電子證照、移動支付、防偽溯源、智能手機、安防監控、工業控制、信號處理、智能計算等眾多領域。

　　產品基于28nm先進NAND flash工藝，通過優化編擦、擦除、回讀算法， 滿足6-8萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車載等相關領域。

　　東芯半導體股份有限公司（以下簡稱“東芯半導體”）成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、中國香港、韓國均設有分公司或子公司。

　　作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。

　　東芯半導體聚焦平面型 SLC NAND Flash的設計與研發，主要產品采用浮柵型工藝結構，存儲容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，搭配 3.3V/1.8V兩種電壓，可滿足客戶在不同應用領域及應用場景的需求。NAND Flash 產品核心技術優勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業內領先的單顆集成技術，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統一集成在同一芯片內。同時產品在耐久性、數據保持特性等方面表現穩定，不僅在工業溫控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過 10 萬次，同時可在-40℃-105℃的極端環境下保持數據有效性長達 10 年，已有產品通過AEC-Q100測試，可靠性逐步從工業級標準向車規級標準邁進。

　　聚辰半導體股份有限公司（以下簡稱“聚辰半導體”）于2009年成立于上海張江，2019年登陸上交所科創板，是一家全球化的芯片設計高新技術企業，在美國硅谷、中國香港、中國臺灣、深圳、南京、蘇州等地區設有子公司、辦事處或銷售機構，客戶遍布全球。

　　聚辰半導體曾獲評2020年十大中國IC設計公司、2021年度上海市經信委“專精特新”企業、2022年度國家級專精特新“小巨人”企業，并被國家發改委、工信部列入國家鼓勵的重點集成電路設計企業清單。

　　GT25Q40D是聚辰半導體基于獨具特色的NORD工藝平臺開發的具有自主知識產權的NOR Flash芯片，具備高可靠性和快速擦除性能，廣泛應用于PC CAM、USB-TypeC、高端WIFI BLE 模組及新能源汽車BMS等領域，在功耗、數據傳輸速度、LU、ESD等關鍵性能指標方面達到國際前沿水平。

　　GT25D20E是聚辰半導體基于獨具特色的NORD工藝平臺開發的具有自主知識產權的NOR Flash芯片，支持DUAL SPI接口，廣泛應用于車載攝像頭、BLE藍牙物聯網設備等領域，在功耗、數據傳輸速度、LU、ESD等關鍵性能指標方面達到國際前沿水平。

　　普冉半導體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉半導體”）是業內排名前列的存儲器芯片及其衍生芯片供應商。自2016年成立以來，普冉半導體一直專注于非易失性存儲器芯片的研發創新，形成了以NOR Flash和EEPROM為核心的存儲器芯片產品矩陣，并基于存儲器技術優勢，推出“存儲+”規劃和長期戰略，積極拓展通用微控制器和存儲結合模擬的全新產品線。

　　P25Q32SN是業界首家1.1V 6.5uW/Mbit新一代領先工藝、超低電壓超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存儲器芯片。P25Q32SN支持1.1V電源系統，具備寬電壓范圍1.05V~2.00V，可涵蓋1.1V、1.2V和1.8V AIOT系統；超低功耗，1.1V 80M STR 4IO 讀取功耗約2.86mW，80M DTR 4IO讀取功率約4.2mW；基于極低功耗，為音頻、圖像等多模態SoC智能主控芯片提供必要性存儲輔助，助力元宇宙的國產生態鏈完善。

　　恒爍半導體(合肥)股份有限公司是專注先進半導體閃存芯片 (NOR Flash) 和微處理器 (MCU)工藝研發、芯片設計和產品銷售的高新技術企業，于2022年8月在上交所科創板上市。公司在合肥、蘇州和上海設有研發中心，在深圳等城市設有銷售及技術支持服務中心。銷售渠道遍布中國（含中國香港、中國臺灣）、韓國、日本、以色列、中東等國家和地區。

　　恒爍5Xnm NOR Flash實現對1.65V-2V低電壓、2.3V-3.6V高電壓、1.65V-3.6V寬電壓全覆蓋，具有更好的高溫性能（支持105℃），超快的讀取頻率（蕞高單線線Mhz），支持OTP及擦除過程掛起功能，能更好的滿足客戶需要，已在手機、智能穿戴、電視機、智能電表、安防產品等下游終端獲得廣泛應用，截至目前，已累計出貨數十億顆。

　　合肥大唐存儲科技有限公司（簡稱“大唐存儲”），長期致力于存儲控制器芯片及安全固件的研發，并提供技術先進的安全存儲解決方案，同時，大唐存儲擁有自主IC設計能力和底層固件研發能力，可根據用戶不同的行業需求進行差異化定制服務。

　　產品上，大唐存儲核心主控在存儲行業國際首家通過EAL5+，首家通過國密芯片二級，首家通過金融存儲芯片增強級檢測。產品分為企業級、商業級和安全加密級固態硬盤，可應用于政務、金融、電信、能源、交通、醫療等行業領域。

　　DSS510芯片，采用28nm工藝制程，4核12通道、支持SATA和PCIe3.0接口，支持國密算法SM2/SM3/SM4；結合大唐存儲自研超聚合安全存儲技術，將金融級安全防護技術應用于固態存儲控制器，實現多芯片合一，在加解密過程中不影響主控性能，使相關產品綜合性能大幅提升。在存儲行業國際首家通過EAL5+，獲國密二級、金融增強級芯片檢測，產品獲得自主原創設計證書，性能可達到國際大廠水平。

　　北京憶芯科技有限公司為國內較早從事高性能固態硬盤主控芯片研發的企業，致力于成為賦能大數據應用的芯片全球領導者。經過 8 年的發展，已成長為國內領先的高端 PCle SSD主控芯片和成品盤供應商，業務方向覆蓋消費級、工業級和企業級，為各行業的信息化發展提供高質量芯片級底層保障。目前已成功完成4款SSD 主控芯片的流片，并通過百萬量級的市場出貨驗證，得到了眾多大廠客戶的充分認可。

　　STAR2000E是憶芯科技自研的PCle4.0高性能企業級固態硬盤，搭載憶芯STAR2000新一代PCle4.0高端企業級SSD主控芯片。支持Gen4.0*4或雙端 Gen4.0*2接口，支持NVMe2.0協議，支持ZNS/NVMe Set/KV等先進企業級功能。提供強大穩態順序讀寫和隨機讀寫性能，具有業界領先的憶芯第4代LDPC糾錯算法，支持3DWPD和1DWPD的耐久性，保證數據可靠性。主要面向數據中心、存儲服務器、云計算等市場，為企業級高性能應用和功耗控制需求提供超高能效比。

　　芯盛智能科技有限公司是領先的固態存儲控制器芯片及解決方案提供商。公司以自主知識產權為根基，推出全球首款基于RISC-V架構的PCle4.0控制器、根據商密一級安全標準設計的PCle3.0控制器、企業級SATA3.0控制器及數十款固態存儲解決方案，產品覆蓋數據中心、邊緣計算、工業控制、消費類終端和汽車存儲等領域。憑借雄厚的技術研發實力與豐富的行業經驗積累，芯盛智能承擔了多項省、市、區科研項目，形成多項擁有自主知識產權的關鍵核心技術，被評為高新技術企業、專精特新企業和年度質量信用A級企業。

　　XT8210采用RISC-V開源架構體系，前端具備PCle4.0×4高速接口，后端采用8通道閃存接口，支持NVMe1.4傳輸協議，順序讀寫可達7000/6000MBps，4K隨機讀寫可達1000K/900K IOPS，全面適配3D TLC和3D QLC顆粒，蕞大可支持16TB容量；XT8210是國內頭部款加碼安全的PCle4.0控制器芯片，通過商密二級認證，支持4K LDPC、RAID+、E2E、RAM ECC等，性能業界領先，因其出色的性能，已被應用到數據中心、高性能桌面機等場景中，得到用戶的一致好評。

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