國內*一的 DRAM 芯片存儲基地傳來好消息。據行業公眾號問芯Voice，昨日（28日），合肥長鑫第二期12寸廠房舉行奠基儀式。據悉，新廠房是為未來進入1y nm以下工藝節點（接近15nm工藝）所做的前期準備。

　　據長鑫規劃，*一個量產的工藝節點是19nm（10G1工藝），目前正在研發17nm（10G3工藝），之后擬研發10G4工藝節點（接近國際大廠15nm/1y nm工藝）。這次舉行奠基儀式的二期廠房，主要生產10G4工藝技術以下芯片。另外，公司計劃今年完成17nm工藝DDR5 和LPDDR5芯片研發。

　　若合肥長鑫成功實現規劃，有望躋身三星、SK 海力士、美光全球三大DRAM巨頭之列，成為第四大DRAM芯片廠。

　　受終端產品需求旺盛、數據中心回溫帶動，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產業持續成長。

　　存儲大廠美光CEO看高產業存儲需求，指出NAND和DRAM供給面緊俏態勢將延續至2022年。廣發證券分析師蒲得宇、張曉飛也認為，由于買方急于欲拉高DRAM庫存，DRAM價格已正式進入上漲周期。

　　DRAM Q2報價漲幅已進入全年峰值，從4月至6月累計漲幅將達到20-25%。不過，由于供需缺口持續拉大，分析師相繼看好價格上揚空間，認為漲勢并沒有就此止步。

　　研究機構TrendForce表示，存儲器原廠庫存偏低，DRAM原廠平均庫存僅3-4周，預估Q3整體DRAM價格將續漲約3-8%；IC Insights也上調對產值預估，預期全年將成長41%，并看好下半年價格繼續上漲。

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