*新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10nm級*一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。投產的8Gb DDR4已經通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

　　在如今的全球半導體產業，三星，SK海力士，美光牢牢把持著內存市場，這三家的專利對后來者形成了一種巨大的壁壘，然而長鑫是如何突破重圍的呢？這就要提一家已經破產了的公司——奇夢達。這家公司還活著的時候，是能夠與三巨頭分庭抗禮的存在，當年全球 DRAM 技術架構分為兩大陣營，一種是溝槽式技術（Trench），以奇夢達為代表，另一種是堆疊式技術（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

　　奇夢達在溝槽式技術（Trench）遇到技術瓶頸之后，立刻轉向堆疊式技術 Buried Wordline (埋入式閘極字元線 nm 工藝試產，生產 1Gb 的 DDR2 產品，更重要的是，46 nm 產品已在實驗室進行研發完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術與上一代 58 nm 技術相較，晶圓數量增加達到 1 倍，當時業界認為奇夢達雖然剛從溝槽式，成功轉至堆疊式，但 BuriedWordline 技術非常具有競爭力。

　　可惜的是，奇夢達沒有熬到智能機爆發就已經撐不下去了，沒有錢投入全新的 Buried Wordline 技術，公司后來宣布破產收場，成為 DRAM 產業史上徒留遺憾的一頁。奇夢達倒下后，幾經輾轉，長鑫將奇夢達一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，成功規避美光、三星、SK 海力士的技術專利問題，而且是花錢就可以買到的技術，這也是長鑫*初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線億美元，展開世界速度的快速迭代，并且行事低調的長鑫已經擁有16000項專利。

　　合肥長鑫成立于2016年6月，該項目是迄今為止安徽省單體投資規模*大的工業項目，將建成國內規模*大、技術*先進的首個自主研發 DRAM 制造基地。按照原有計劃，合肥長鑫的節奏是這樣的：2018年底，合肥長鑫將開始生產8Gb DDR4存儲器的工程樣品；2019年底有望達到2萬片/月的產能；2020年再開始規劃二廠廠房的建設；2021年要完成對17nm工藝節點的技術研發。

　　如今長鑫儲存剛好趕在十一這個節點上，超額完成任務，實現了8Gb DDR4的量產，把從奇夢達獲得的46nm堆棧式DRAM平穩過度到10nm級別，甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現，力爭未來成為這個領域的領先者。

　　全球半導體聯盟GSA日前宣布，合肥長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明將成為聯盟董事會成員。全球半導體聯盟在全球擁有來自超過25個國家和地區的250多家企業會員，代表著產值4500億美元的半導體產業中70%的力量，涵蓋了從初創公司到行業巨頭的公共和私營企業，其中100家為上市公司。聯盟領導層由半導體及相關高科技行業的技術和商業領袖組成，其董事會成員包括來自英特爾、三星、超微半導體（AMD）、安謀科技（ARM）、高通、應用材料等全球半導體巨頭的高級負責人。

　　此前，中芯國際聯席首席執行官趙海軍是董事會內*一代表中國大陸半導體企業的成員，這次朱一明的加入代表著國產儲存正式邁進高端玩家俱樂部,使得國產半導體在國際舞臺中再多了一份話語權。

　　紫光集團今年6月份組建了DRAM內存事業部，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業群CEO，正式進軍內存芯片產業，重慶的工廠預計今年底動工，2021年量產，工期約為兩年左右。

　　從紫光之前公布的信息來看，得益于在長江存儲等公司上的積累，紫光集團已經組建了一只龐大的科研隊伍，存儲芯片方面的研發人員超過2000人，這是紫光建設內存工廠、研發生產內存的基礎。紫光目前的主流內存仍是DDR3，不過DDR4具備世界主流設計水平，目前正在開發中，預計年底前完成并推向市場，但是產能無法保證，產品銷量不會太大。

　　目前全球的內存主要控制在韓國三星、SK海力士及美國美光三家公司中，他們占據的內存市場份額高達95%，國產儲存在產品上已經在慢慢崛起，下一步面臨的問題的如何與前輩們搶市場。好在我們有一個巨大的需求市場，根據數據顯示，2018年，中國進口了3120億美元的芯片，其中存儲芯片高達1150億美元，這1150億美元的存儲芯片中，高達97%的是DRAM和FLASH。在強大的需求下，國產儲存定能先滿足內需，然后一步步的走出去。

　　結合之前的報道，長鑫公司今年底會量產19nm工藝、8GB容量的DDR4內存芯片，不知道這個內存是否就是平爾萱博士所說的10nm級內存。不論是19nm還是其他工藝的內存，總體來說國內公司如果能在年底量產10nm級別的內存，起點還是非常高的，與國際先進水平的差距也就2-3年的樣子，這個水平相比其他芯片的差距就小太多了。

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