集微網消息，據臺灣媒體報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長鑫，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。

　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲將與已購并飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

　　長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范，若是自行研發DRAM技術必須先量產3D NAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。

　　長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或購并現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠為*一考量。

　　近期武漢新芯12吋新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，*終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。

　　聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

　　盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險，遂同時研發30納米作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1,000億元，同時進行DRAM研發和制造。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產并陷入激戰。

　　發布PCle4.0固態硬盤致態TiPro7000 順序讀取速度740MB/s

　　2021年12月29日，長江存儲重磅發布全新消費級旗艦固態硬盤產品致態TiPro7000。該產品采用基于Xtacking?（晶棧） 2.0架構的長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCle Gen4x4接口、NVMe 1.4協議，順序讀取速度高達7400MB/s。該產品為電競、高端游戲量身定制，同時滿足多種設計應用需求，為消費者帶來全新的高速存儲體驗。長江存儲自2020年9月以來，相繼推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款產品。該系列產品一經推出就以高性能、高可靠性備受市場推崇。憑借著這三款產品，長江存儲與廣大消費者建立了緊密的聯結，直接聆聽消費者的反饋和建議。經過一年多的打磨，全新旗艦產品TiPro70

　　發布PCle4.0固態硬盤致態TiPro7000 順序讀取速度740MB/s /

　　Xperi公司日前宣布，該公司已與長江存儲簽署了一項許可協議，該協議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術相關的半導體知識產權的基礎組合。Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示：“Xperi 的 DBI 混合鍵合是當前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存的關鍵使能技術，我們自豪地向長江存儲提供我們的基礎知識產權組合，并期待進一步擴大我們的合作關系。”據了解，混合鍵合3D集成技術正越來越多地應用于各種半導體器件，如傳感器、存儲器和邏輯器件，以便在降低尺寸和成本的同時增強性能和功能。在3D NAND應用中，DBI 混合鍵合技術能夠分解存儲器陣列和邏輯電路，從而為每個應用提供*佳的晶圓工藝節點。公

　　國內內存模塊供應商“嘉合勁威”公眾號發布消息稱，旗下高端品牌阿斯加特將發布新品AN4 PCle4.0 SSD，閃存顆粒采用長江存儲128層3D TLC NAND，這也意味著長江存儲128層3D NAND閃存產品成功量產。2018年底，長江存儲宣布將跳過64層和96層，于2020年底開始量產128層3D NAND閃存。韓媒BusinessKorea援引業內人士表示，長江存儲去年4月即開發了128層3D NAND閃存技術，但由于疫情和母公司紫光集團的影響，量產計劃被推遲。2018年長江存儲的技術水平是32層，而三星電子從2014年開始生產32層。隨著長江存儲在2021年成功量產128層（三星電子和SK海力士分別在2019年8月和去年第二

　　2021年7月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）發現多家網絡媒體轉發長江存儲和美國貿易限制清單相關的新聞和消息。對此，長江存儲鄭重聲明如下：1. 長江存儲自成立至今，始終秉承守法合規的經營理念。在國內外各項業務中，長江存儲嚴格遵守所在地法律法規；2. 長江存儲所提供的產品與服務均為面向商用及民用市場；3. 長江存儲遵守WTO公平貿易原則，專注于技術自主研發并充分尊重第三方的知識產權；4. 目前長江存儲生產經營各項業務均在上述原則基礎上正常開展。長江存儲科技有限責任公司2021年7月16日

　　回應實體清單傳言：國內外各項業務均守法 /

　　7月13日上午，據外媒報道稱，美國國會部分議員已于當地時間12日致信美國商務部部長雷蒙多（Raimondo），要求其考慮將中國存儲芯片制造企業長江存儲列入“實體清單”。美國議員要求將長江存儲列入“實體清單”報道稱，該信函指出，長江存儲是由政府控制并與軍方關聯的企業，其制造的存儲芯片可廣泛應用于國防、人工智能和航天領域。同時，該信函還稱，長江存儲的管理人員之前在中芯國際和中國軍方有關的工業和信息化部工作過。除此之外，該信函還表示，長江存儲通過其母公司清華控股的巨大的分公司網絡和附屬公司向中國軍方供貨的。基于以上這些所謂的“證據”，相關美國國會議員認為，長江存儲與中國軍方有關系，要求美國商務部“在這件緊急事務上發揮領導作用”，把長江存儲

　　近日，華特氣體在接受機構調研時表示，Q2業績增長主要還是半導體廠的放量，以長存、中芯等半導體企業為主，增速明顯。其他原因，主要是去年新認證了半導體客戶通過認證的有慢慢的產生訂單，另外就在原有半導體客戶導入了品類，也有部分通過了并產生了訂單。在客戶認證方面，華特氣體稱，今年認證通過的有高純氨通過積塔8寸線認證，IGBT第三代功率半導體的碳化硅廠-泰科天潤認證通過，一季度產生訂單；鍺烷也通過了德國*大半導體廠英菲林的認證；公司的光刻氣 Ar/Ne/Xe 也獲得全球第二大光刻機生產廠商日本GIGAPHOTON的認證通過；海思去年認證的幾個產品，有陸續通過認證，今年也有部分供貨；還有蘇州的英諾賽科去年也認證了幾個產品，今年也有部分陸續的產生

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