集微網(wǎng)消息 （記者/茅茅、小北），從2017年以來，DRAM價格一路高歌猛進(jìn)，三星、海力士和美光在這一輪的行情中獲得了豐厚的利潤。這一市場異變得到了中國反壟斷機構(gòu)的關(guān)注，據(jù)集微網(wǎng)了解，5月31日，中國反壟斷機構(gòu)分別對美光、三星、海力士三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調(diào)查”和現(xiàn)場取證，標(biāo)志著中國反壟斷機構(gòu)正式對三家企業(yè)展開立案調(diào)查。

　　據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2018年*一季三星、海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率合計共占95.4%的市場份額，而中國存儲廠商在該市場的份額依然為零。目前，我國存儲領(lǐng)域已形成包括發(fā)展NAND Flash的長江存儲，專注移動式內(nèi)存的合肥長鑫以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。值得注意的是，今年將是中國存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵節(jié)點，那么三家廠商目前的進(jìn)度如何？

　　福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華集成電路，JHICC)是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。

　　晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領(lǐng)域。企業(yè)用地面積約600畝，一期總投資370億元。工程建設(shè)方面，采取EPC總承包模式，交叉推進(jìn)設(shè)計、采購、施工各個環(huán)節(jié)；項目運作模式為邊建設(shè)、邊引才、邊研發(fā)。

　　集微網(wǎng)記者于5月26日參觀晉華集成電路公司，了解到當(dāng)前廠房正進(jìn)行內(nèi)部裝修和機電安裝。

　　按計劃，6月工程建設(shè)竣工，9月正式投產(chǎn)，預(yù)計投產(chǎn)后的一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能。

　　晉華項目宣傳片指出，晉華以三星海力士等行業(yè)巨頭為標(biāo)桿，力爭通過自主研發(fā)實現(xiàn)對行業(yè)領(lǐng)先制造工藝的趕超。對比國內(nèi)同類項目晉華項目建設(shè)進(jìn)度優(yōu)勢明顯，有望成為國內(nèi)首家擁有自主技術(shù)的內(nèi)存龍頭企業(yè)。

　　據(jù)悉，晉華集成電路在人才團(tuán)隊方面，采取海內(nèi)外人才招聘與人才培訓(xùn)相結(jié)合的方式。按計劃，2018年人才隊伍將達(dá)1200人，目前已招募人員800多人。

　　由于晉江集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較薄弱，晉江市以晉華項目為龍頭，構(gòu)建“三園一區(qū)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間載體，打造設(shè)計、制造、封裝測試、裝備與材料、終端應(yīng)用的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，其目標(biāo)是到2025年可形成1000億產(chǎn)業(yè)規(guī)模。據(jù)悉，臺灣矽品、臺灣芝奇、美國空氣化工等20多個產(chǎn)業(yè)鏈項目已落地晉江，總投資近600億元，產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈正逐步形成。

　　睿力集成電路有限公司由北京兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合資，兆易創(chuàng)新出資20%，公司主要研發(fā)19納米制程的12英寸晶圓DRAM，目標(biāo)2018年12月底研發(fā)成功。

　　據(jù)集微網(wǎng)了解，當(dāng)前，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目正處在加快建設(shè)的階段，該項目一旦正式投產(chǎn)，預(yù)計將在全球DRAM市場占得約8%的市場份額，從而填補國產(chǎn)DRAM存儲器在本國市場的空白。

　　值得一提的是，在今年4月的一次公開活動上，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國首次高調(diào)亮相并介紹了合肥長鑫存儲器項目的5年規(guī)劃：2018年1月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝；2018年底量產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4；2019年底實現(xiàn)產(chǎn)能2萬片/月；2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

　　王寧國表示，希望2018年底*一個中國自主研發(fā)的DRAM芯片能夠在合肥誕生。同時，王寧國透露，長鑫睿力已經(jīng)與北方華創(chuàng)簽約，未來還會與更多的國內(nèi)設(shè)備和材料廠商簽約合作。

　　據(jù)臺媒Digitimes報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機完成之后，從2018年下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。

　　同時，據(jù)TrendForce存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，合肥長鑫的廠房已于2017年6月封頂完工，并且于第3季開始移入測試用機臺。由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠*重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權(quán)外，初期可能將鎖定于中國銷售。

　　除此之外，據(jù)集微網(wǎng)5月9日*新消息顯示，美國半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商Rambus與兆易創(chuàng)新成立合資公司合肥睿科微電子有限公司，并同時完成由清控銀杏聯(lián)合領(lǐng)投的A輪融資。這家新的合資企業(yè)致力于電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化，將把下一代內(nèi)存技術(shù)推向市場，同時，在這一合作中中資將占據(jù)主導(dǎo)地位，知情人士表示，公司總投資額為五千萬美元。

　　雖然兆易創(chuàng)新與Rambus目前僅簽署了協(xié)議，合資公司尚未成立。至于成立的具體時間，由于合資公司需要經(jīng)過美國方面的審批，公司注冊及具體成立時間需要等到批準(zhǔn)之后才能確定。

　　長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上正式成立，公司主要股東包括大基金和紫光集團(tuán)、湖北省科投以及湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金等，目前為清華紫光集團(tuán)的子公司。作為國家級存儲項目基地，長江存儲總投資金額達(dá)240億美元。預(yù)計項目一期建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　目前，長江存儲首批400萬美元的精密儀器已于4月5日抵達(dá)武漢，未來兩年內(nèi)將從全球多地進(jìn)口近3萬噸精密儀器至漢。4月11日，長江存儲武漢基地芯片生產(chǎn)機臺正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。據(jù)了解，設(shè)備搬入、調(diào)試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季度，中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　值得一提的是，當(dāng)天搬入的設(shè)備只是*一臺，隨后要陸續(xù)從世界各地搬入各類高精密的芯片生產(chǎn)機臺進(jìn)行調(diào)試，數(shù)量達(dá)2000多臺。設(shè)備調(diào)試完成后，才可以規(guī)模量化生產(chǎn)芯片。

　　此外，5月19日，集微網(wǎng)曾報道，長江存儲的首臺光刻機已運抵武漢天河機場，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。據(jù)集微網(wǎng)獨家消息，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長江存儲的*一臺光刻機，陸續(xù)還會有多臺運抵。

　　同時，紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲董事長趙偉國強調(diào)，在生產(chǎn)廠房于去年9月提前一個月封頂、32 層三維 NAND 閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎(chǔ)上，現(xiàn)在我們又提前20天實現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機臺搬入。未來十年，紫光計劃至少將投資1000億美元，相當(dāng)于平均每年投入100億美元。

　　紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得*一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

　　今年底，基地就將實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn)，用不了多久就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機、SSD固態(tài)硬盤。明年，長江存儲還將開始64層堆疊閃存，單顆容量 128Gb(16GB)。

　　據(jù)TrendForce存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進(jìn)程來看，2016年12月底，由長江存儲主導(dǎo)的國家存儲器基地正式動土，官方預(yù)期分3階段，共建立3座3D NAND Flash廠房。*一階段廠房已于2017年9月完成興建，預(yù)定2018年第3季開始移入機臺，并于第4季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層 3D NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計劃。

　　當(dāng)然，在人才方面，長江存儲也十分重視。集微網(wǎng)曾報道，前電子信息司副司長彭紅兵已經(jīng)出任大基金副總裁兼長江存儲監(jiān)事會*。

　　除此之外，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，在日本川崎市有一家新成立的企業(yè)名為JYM技術(shù)株式會社，而實際上就是長江存儲科技（YMTC）。相關(guān)人士透露，川崎市基地的面積可供100人工作，剛剛在日本啟動了招聘活動。同時，長江存儲科技2016年秋在美國硅谷開設(shè)了研發(fā)基地，從存儲器巨頭美國美光科技等處挖來技術(shù)人員，以40人的規(guī)模啟動研發(fā)工作。

　　發(fā)布PCle4.0固態(tài)硬盤致態(tài)TiPro7000 順序讀取速度740MB/s

　　2021年12月29日，長江存儲重磅發(fā)布全新消費級旗艦固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPro7000。該產(chǎn)品采用基于Xtacking?（晶棧） 2.0架構(gòu)的長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCle Gen4x4接口、NVMe 1.4協(xié)議，順序讀取速度高達(dá)7400MB/s。該產(chǎn)品為電競、高端游戲量身定制，同時滿足多種設(shè)計應(yīng)用需求，為消費者帶來全新的高速存儲體驗。長江存儲自2020年9月以來，相繼推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品一經(jīng)推出就以高性能、高可靠性備受市場推崇。憑借著這三款產(chǎn)品，長江存儲與廣大消費者建立了緊密的聯(lián)結(jié)，直接聆聽消費者的反饋和建議。經(jīng)過一年多的打磨，全新旗艦產(chǎn)品TiPro70

　　發(fā)布PCle4.0固態(tài)硬盤致態(tài)TiPro7000 順序讀取速度740MB/s /

　　Xperi公司日前宣布，該公司已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，該協(xié)議包括獲得與Xperi的DBI混合鍵合技術(shù)相關(guān)的半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)的基礎(chǔ)組合。Xperi全資子公司Invensas總裁Craig Mitchell表示：“Xperi 的 DBI 混合鍵合是當(dāng)前和未來幾代高性能、大容量3D NAND閃存的關(guān)鍵使能技術(shù)，我們自豪地向長江存儲提供我們的基礎(chǔ)知識產(chǎn)權(quán)組合，并期待進(jìn)一步擴(kuò)大我們的合作關(guān)系。”據(jù)了解，混合鍵合3D集成技術(shù)正越來越多地應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件，如傳感器、存儲器和邏輯器件，以便在降低尺寸和成本的同時增強性能和功能。在3D NAND應(yīng)用中，DBI 混合鍵合技術(shù)能夠分解存儲器陣列和邏輯電路，從而為每個應(yīng)用提供*佳的晶圓工藝節(jié)點。公

　　國內(nèi)內(nèi)存模塊供應(yīng)商“嘉合勁威”公眾號發(fā)布消息稱，旗下高端品牌阿斯加特將發(fā)布新品AN4 PCle4.0 SSD，閃存顆粒采用長江存儲128層3D TLC NAND，這也意味著長江存儲128層3D NAND閃存產(chǎn)品成功量產(chǎn)。2018年底，長江存儲宣布將跳過64層和96層，于2020年底開始量產(chǎn)128層3D NAND閃存。韓媒BusinessKorea援引業(yè)內(nèi)人士表示，長江存儲去年4月即開發(fā)了128層3D NAND閃存技術(shù)，但由于疫情和母公司紫光集團(tuán)的影響，量產(chǎn)計劃被推遲。2018年長江存儲的技術(shù)水平是32層，而三星電子從2014年開始生產(chǎn)32層。隨著長江存儲在2021年成功量產(chǎn)128層（三星電子和SK海力士分別在2019年8月和去年第二

　　2021年7月13日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”）發(fā)現(xiàn)多家網(wǎng)絡(luò)媒體轉(zhuǎn)發(fā)長江存儲和美國貿(mào)易限制清單相關(guān)的新聞和消息。對此，長江存儲鄭重聲明如下：1. 長江存儲自成立至今，始終秉承守法合規(guī)的經(jīng)營理念。在國內(nèi)外各項業(yè)務(wù)中，長江存儲嚴(yán)格遵守所在地法律法規(guī)；2. 長江存儲所提供的產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場；3. 長江存儲遵守WTO公平貿(mào)易原則，專注于技術(shù)自主研發(fā)并充分尊重第三方的知識產(chǎn)權(quán)；4. 目前長江存儲生產(chǎn)經(jīng)營各項業(yè)務(wù)均在上述原則基礎(chǔ)上正常開展。長江存儲科技有限責(zé)任公司2021年7月16日

　　回應(yīng)實體清單傳言：國內(nèi)外各項業(yè)務(wù)均守法 /

　　7月13日上午，據(jù)外媒報道稱，美國國會部分議員已于當(dāng)?shù)貢r間12日致信美國商務(wù)部部長雷蒙多（Raimondo），要求其考慮將中國存儲芯片制造企業(yè)長江存儲列入“實體清單”。美國議員要求將長江存儲列入“實體清單”報道稱，該信函指出，長江存儲是由政府控制并與軍方關(guān)聯(lián)的企業(yè)，其制造的存儲芯片可廣泛應(yīng)用于國防、人工智能和航天領(lǐng)域。同時，該信函還稱，長江存儲的管理人員之前在中芯國際和中國軍方有關(guān)的工業(yè)和信息化部工作過。除此之外，該信函還表示，長江存儲通過其母公司清華控股的巨大的分公司網(wǎng)絡(luò)和附屬公司向中國軍方供貨的。基于以上這些所謂的“證據(jù)”，相關(guān)美國國會議員認(rèn)為，長江存儲與中國軍方有關(guān)系，要求美國商務(wù)部“在這件緊急事務(wù)上發(fā)揮領(lǐng)導(dǎo)作用”，把長江存儲

　　近日，華特氣體在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，Q2業(yè)績增長主要還是半導(dǎo)體廠的放量，以長存、中芯等半導(dǎo)體企業(yè)為主，增速明顯。其他原因，主要是去年新認(rèn)證了半導(dǎo)體客戶通過認(rèn)證的有慢慢的產(chǎn)生訂單，另外就在原有半導(dǎo)體客戶導(dǎo)入了品類，也有部分通過了并產(chǎn)生了訂單。在客戶認(rèn)證方面，華特氣體稱，今年認(rèn)證通過的有高純氨通過積塔8寸線認(rèn)證，IGBT第三代功率半導(dǎo)體的碳化硅廠-泰科天潤認(rèn)證通過，一季度產(chǎn)生訂單；鍺烷也通過了德國*大半導(dǎo)體廠英菲林的認(rèn)證；公司的光刻氣 Ar/Ne/Xe 也獲得全球第二大光刻機生產(chǎn)廠商日本GIGAPHOTON的認(rèn)證通過；海思去年認(rèn)證的幾個產(chǎn)品，有陸續(xù)通過認(rèn)證，今年也有部分供貨；還有蘇州的英諾賽科去年也認(rèn)證了幾個產(chǎn)品，今年也有部分陸續(xù)的產(chǎn)生

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