原標題：【推仔說新聞】合肥長鑫已將內(nèi)存工藝提升至10nm級別 并宣稱即將量產(chǎn)

　　在日前開幕的中國閃存技術(shù)峰會上面，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士發(fā)表了名為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應用》的主題演講。

　　在這個演講中不僅提及了有關(guān)于內(nèi)存技術(shù)的應用發(fā)展等問題，同時也說明了長鑫自己內(nèi)存技術(shù)的來源和改進，指出了合肥長鑫已將奇夢達的46nm內(nèi)存工藝提升到了10nm級別。

　　其實在之前的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明就發(fā)表過演講，演講中提到了長鑫的DRAM內(nèi)存的技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司。

　　目前的長鑫獲得了獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，并在這些技術(shù)和數(shù)據(jù)的技術(shù)上進行改進研發(fā)。

　　并且合肥長鑫宣布，投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項目投產(chǎn)，該項目將生產(chǎn)國產(chǎn)*一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。

　　董事長朱一明表示，“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。”

　　至于良品率和產(chǎn)能等問題，合肥長鑫并沒有公布具體的數(shù)據(jù)，但是宣稱其10nm級內(nèi)存已經(jīng)獲得工信部旗下檢測機構(gòu)，中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

　　在推仔看來，雖然我們不得不說我們距離世界一線的DRAM顆粒制造還是有不小的距離，但是我們憑借著奇夢達公司已經(jīng)成功的實現(xiàn)的追趕，畢竟現(xiàn)在大家都是非常理性的，從國產(chǎn)的NAND顆粒就可見一斑，大家對于我們真正意義上的國產(chǎn)還是能夠包容的。

　　此外要跟大家說明的一點便是，為什么說10nm級就已經(jīng)實現(xiàn)了追趕，原因還是在于隔壁的PPT大廠三星，其命名的1Xnm、1Ynm、1Znm都是10nm級別的工藝。

　　此外有一個事情讓我沉思，在*近的內(nèi)存和閃存市場上面，其實都有過可以抬價的窗口期，但是整個市場行情卻沒有起來，這會不會是與我們成功國產(chǎn)化了DRAM和NAND顆粒有關(guān)呢？返回搜狐，查看更多

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