如果為風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)添加注解，那么存儲芯片領(lǐng)域則是*佳實例，而如果為“打臉”戲碼尋找主角，存儲芯片業(yè)內(nèi)廠商們則當(dāng)仁不讓，如果美日韓均曾經(jīng)或正是存儲王者，后進(jìn)者諸如長鑫又憑什么不能去爭一爭！

　　彼時，包括英特爾、IBM、摩托羅拉、美光、Mostek National以及德州儀器在內(nèi)的廠商，鑄就美國包括DRAM在內(nèi)的整個內(nèi)存領(lǐng)域霸業(yè)。

　　上世紀(jì)70年代中期，日本半導(dǎo)體靈魂人物垂井康夫率領(lǐng)日立、NEC、富士通、三菱與東芝，以政府貸款與稅費(fèi)優(yōu)惠等措施，向美國發(fā)起飽和攻擊，僅用了10年時間便占據(jù)內(nèi)存領(lǐng)域50%市場份額，從美國手中奪下皇冠。

　　幾乎與日本內(nèi)存產(chǎn)業(yè)騰飛同一時期，韓國破釜沉舟并以10年的自殺性投資，且正值美國對日本發(fā)起反傾銷，日本半導(dǎo)體出口受到美國毀滅打擊，三星借此借此崛起，將日本趕下半導(dǎo)體神壇，同樣也包括存儲芯片市場。

　　美國、日本與韓國在存儲領(lǐng)域多次起承轉(zhuǎn)合的王者更迭，目前在DRAM市場已形成三巨頭的寡頭壟斷局面。截止目前，三星市占達(dá)43.9％，緊隨其后的是SK海力士（29.5％）與美光（23.5%），三家總市占接近97%。

　　如果此時提及中國存儲芯片廠商沖擊韓國三星們的市場地位，可能會顯得不合時宜。但回溯到上世紀(jì)60至90年代，又有誰想到，日本在內(nèi)存方面擊敗美國后，隨后慘敗給韓國？

　　正如海外知名半導(dǎo)體論壇分析師Robert Maire所言，考慮當(dāng)前主流存儲廠商仍掙扎于市場供過于求旋渦中時，以及全球政治局勢與資本傾斜，有理由相信，以合肥長鑫為首的DRAM廠商，有較大機(jī)會突出重圍，挑戰(zhàn)韓國霸主地位。

　　長江存儲、合肥長鑫與福建晉華被稱為中國存儲三劍客，是本土半導(dǎo)體打破海外廠商壟斷的希望。前者聚焦NAND閃存芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，而后兩家企業(yè)的業(yè)務(wù)則針對DRAM存儲器。

　　2018年11月，由于與美國DRAM存儲器巨頭美光之間的訴訟糾紛，福建晉華被美國列入出口管制的實體名單，臺灣聯(lián)電隨即宣布暫停對其提供技術(shù)與研發(fā)支撐，直接導(dǎo)致晉華生產(chǎn)與運(yùn)營陷入停滯狀態(tài)。

　　而彼時，晉華生產(chǎn)車間內(nèi)已有200臺設(shè)備就緒，并計劃在1個月后的年底投入小規(guī)模量產(chǎn)試驗，官方預(yù)計今年初可實現(xiàn)量產(chǎn)，并有很大機(jī)會成為首家量產(chǎn)DRAM存儲器的本土廠商。

　　至此，長鑫成為本土DRAM突圍短期內(nèi)*一的希望。今年9月，長鑫宣布12英寸DRAM生產(chǎn)線已經(jīng)提前投產(chǎn)，據(jù)悉投產(chǎn)的DDR4芯片通過了多個國內(nèi)外大客戶驗證，將于年底正式交付，這將有助于替代進(jìn)口DRAM。

　　另外，正如長鑫董事長兼CEO朱一明表示，公司底層技術(shù)來自奇夢達(dá)（Qimonda），后者自2006年從母公司英飛凌剝離后一路開掛，DRAM產(chǎn)品銷量并穩(wěn)居全球第二，300mm晶圓領(lǐng)導(dǎo)者和PC及服務(wù)器DRAM產(chǎn)品市場*大的供應(yīng)商之一，戲劇化的是三年后其申請破產(chǎn)。

　　長鑫通過與奇夢達(dá)的合作，共將一千多萬份DRAM相關(guān)的技術(shù)文件（大小約2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6萬項專利申請，據(jù)悉長鑫方面隨后對部分技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行修改，以規(guī)避美國方面的實體名單出口制裁。

　　綜上，長鑫由于可追溯的專利技術(shù)，以及提前在風(fēng)險規(guī)避方面的布局方面，因此其在中美貿(mào)易戰(zhàn)不穩(wěn)定局勢下，仍具備相對穩(wěn)定的發(fā)展空間。

　　技術(shù)方面，目前長鑫面對的*大質(zhì)疑為奇夢達(dá)技術(shù)聚焦在溝槽式路線，長鑫作為繼承者卻選擇堆棧式技術(shù)方向。其實，奇夢達(dá)早前已提出過埋入式電柵三極管（Buried Word Line Transistor）的概念，*大限度提升三極管性能，而奇夢達(dá)可能只是生不逢時。

　　堆棧式架構(gòu)在2018年成為主流，奇夢達(dá)基于埋入式電柵三極管的46nm產(chǎn)品，在當(dāng)時已完成研發(fā)。但同年金融危機(jī)的爆發(fā)，致使DRAM價格斷崖式下滑，奇夢達(dá)堆棧式技術(shù)還未正式進(jìn)入量場階段，便于2009年宣告破產(chǎn)，隨后該項技術(shù)/方案被無限期雪藏。

　　業(yè)內(nèi)人士稱，通過對比三星、SK海力士與美光的主流DRAM產(chǎn)品與方案，均與早前奇夢達(dá)的堆棧式架構(gòu)有異曲同工之妙，包括DRAM單元三極管以及蜂窩式電容結(jié)構(gòu)等，也從另一角度說明各廠商間的殊途同歸。

　　而值得一提的是，長鑫從奇夢達(dá)手中接過堆棧式架構(gòu)的相關(guān)技術(shù)專利，并通過引入雙重圖案對準(zhǔn)（SADP）以及四重圖案對準(zhǔn)（SAQP）等技術(shù)，并從內(nèi)外雙面電容逐漸走到外部的單面積電容（柱狀電容），成功將奇夢達(dá)的46nm平穩(wěn)推進(jìn)至10nm。

　　此外，先進(jìn)晶圓代工工藝在摩爾定律影響下，已發(fā)展至5nm及以下制程，DRAM工藝不可避免的也將走向10nm 以下。因此，開發(fā)環(huán)繞式三節(jié)晶體管結(jié)構(gòu) GAA（Gate-all-around）以及其他新型的存儲器技術(shù)等是大勢所趨。

　　長鑫方面的消息是，該公司已開始在HKMG、EUV和GAA等新技術(shù)方面的探索。長鑫采用從研發(fā)到生產(chǎn)的IDM（Integrated Device Manufacture）的模式。截止目前，一期廠房設(shè)計月產(chǎn)能12萬片12英寸晶圓，裝機(jī)月產(chǎn)能2萬片，正在評估年底月產(chǎn)能4萬片的可行性。

　　目前來看，長鑫在產(chǎn)能為每月2萬片，與巨頭三星們的不可同日而語。但無法忽視的是中國廠商在技術(shù)與生產(chǎn)層面達(dá)到相應(yīng)水平后，不計成本以占領(lǐng)市場份額的激進(jìn)方式，以及本土市場強(qiáng)大的需求與消化能力。因此，市場潛力也是分析師Robert Maire看好長鑫的主要原因。

　　此外，鑒于傳統(tǒng)DRAM廠商追逐利潤的運(yùn)營模式，在產(chǎn)能保證前提下，如果長鑫強(qiáng)勢發(fā)起市場攻占策略，之于原本脆弱的DRAM供需市場將是重磅炸彈，若傳統(tǒng)廠商保持價格不變來應(yīng)對，直接的后果則是新一輪DRAM產(chǎn)品大規(guī)模堆積。

　　三星在行業(yè)低谷期多次利用“反周期”定律，加劇行業(yè)虧損，迫使同行業(yè)企業(yè)破產(chǎn)，*終牢牢占據(jù)行業(yè)頭把交椅。而可以預(yù)知的是，在不遠(yuǎn)的將來，長鑫也將由可能具備向三星發(fā)起以其人之道還治其人之身的挑戰(zhàn)。

　　產(chǎn)能方面，中國具有實現(xiàn)包括DRAM在內(nèi)的存儲芯片量產(chǎn)的能力。舉個簡單的例子，中國市場占據(jù)美國半導(dǎo)體系統(tǒng)控制與產(chǎn)出管理設(shè)備廠商KLA全年營收的1/3，但中國廠商的半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)出卻沒有達(dá)到全球1/3的規(guī)模，特別是在DRAM在內(nèi)的存儲芯片領(lǐng)域的產(chǎn)能。

　　因此，該現(xiàn)象說明在半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的利用率方面，中國廠商還存在巨大的進(jìn)步空間，但是隨著設(shè)備利用與磨合的進(jìn)一步深入，本土廠商在短時間內(nèi)，仍有較大機(jī)會在現(xiàn)有設(shè)備資源情況下，釋放相當(dāng)大部分的產(chǎn)能。

　　復(fù)盤DRAM歷史發(fā)展，審視以長鑫為代表的本土廠商，擁抱主流技術(shù)（堆棧式架構(gòu)）與創(chuàng)新型存儲技術(shù)的引入，本土強(qiáng)勁的內(nèi)需驅(qū)動，技術(shù)專利糾紛風(fēng)險的規(guī)避，以及生產(chǎn)設(shè)備釋放的產(chǎn)能潛力。

　　因此，與其唱衰，不如多點陽光，以夢為馬，靜候長鑫在DRAM市場突出重圍的好消息。

產(chǎn)業(yè)招商/廠房土地租售：400 0123 021
或微信/手機(jī)：13524678515;?13524678515;?13524678515?
請說明您的需求、用途、稅收、公司、聯(lián)系人、手機(jī)號，以便快速幫您對接資源。?
長按/掃一掃加葛毅明的微信號

掃一掃關(guān)注公眾號