合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)
合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn),其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。
Source:微博截圖 合肥長(zhǎng)鑫的子公司睿力集成電路有限公司于 2020 年 12 月 14 日實(shí)施了一輪戰(zhàn)略投資,引入安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資,總金額高達(dá) 156.50 億元。 長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒通過(guò)了包括英特爾AMD主流或*新平臺(tái)進(jìn)行的單通道、雙通道滿載測(cè)試等兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),篩選后的內(nèi)存芯片還具有超頻潛力。目前該公司生產(chǎn)的DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存顆粒采用 19nm 制程工藝制造,*高頻率 3200MHz,2020 年起已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模對(duì)外供貨。 *新消息顯示,合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃 2021 年完成 17nm 技術(shù)研發(fā),加速向 DDR5 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。
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主要有一些二輸入三輸入的門電路的集合芯片,如或門,與門,非門,或非門等等。
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我們知道, SSD,也就是固態(tài)盤, 不僅性能明顯高于傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(HDD), 且*大容量也已超過(guò)機(jī)....
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基于Virtex-5 RocketI0TM GTP收發(fā)器實(shí)現(xiàn)串行高速接口的開(kāi)發(fā)應(yīng)用
Virtex-5 RocketI0TM GTP是Xilinx公司根據(jù)高速串行接口開(kāi)發(fā)市場(chǎng)對(duì)高性能GT....
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展和單片機(jī)應(yīng)用的普及,許多便攜式智能儀儀器儀表以及在特殊條件下應(yīng)用的傳感器和智....
據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示,由于在全球半導(dǎo)體嚴(yán)重短缺的情況下,中國(guó)全力生產(chǎn)芯片,中國(guó) 5 月份的集成電路 (IC....
近期,上海橙科微電子科技有限公司作為臨港打造臨港國(guó)際創(chuàng)新協(xié)同區(qū)域所吸引的優(yōu)秀集成電路領(lǐng)域企業(yè),應(yīng)邀參....
2021年6月10日,今年2月,美光宣布已開(kāi)始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM (LPDD....
湖南三安點(diǎn)亮中國(guó)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線日上午,位于長(zhǎng)沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體正式點(diǎn)亮投產(chǎn)。
中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園獲評(píng)2020-2021中國(guó)十大集成電路高質(zhì)量發(fā)展特色園區(qū)。 6月9日,2021世....
在之前舉辦的Computex上,AMD發(fā)布了其實(shí)驗(yàn)性的產(chǎn)品,即基于3D Chiplet技術(shù)的3D V....
02 NOR門利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度,同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗。所有門帶緩沖輸出,具有高抗擾度,可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:8 ns 寬電源范圍:2-6V 低靜態(tài)電源電流:20 μA,*大值(74HC系列) 低輸入電流:1μA,*大值 高輸出電流:4 mA(*小值) 應(yīng)用 這個(gè)p產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
00 NAND門利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度,同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗。所有柵極都有緩沖輸出。所有器件都有高抗擾度,并且能夠驅(qū)動(dòng)10 LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:8 ns 寬電源范圍:2-6V 低靜態(tài)電流:20μA,*大值(74HC系列) 低輸入電流:1μA,*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
U04反相器利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度,同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗.MM74HCU04是一款無(wú)緩沖反相器。它具有高抗擾度,并且能夠驅(qū)動(dòng)15 LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:7 ns 15 LS-TTL負(fù)載的高扇出 靜態(tài)功耗:室溫條件下*大值為10μA 低輸入電流:1μA,*大值 應(yīng)用 本產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的產(chǎn)品應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
T164采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗。它還具有可比低功率肖特基器件的速度。該8位移位寄存器具有門控串行輸入和CLEAR。每個(gè)寄存器位為一個(gè)D類主/從觸發(fā)器。輸入A& B允許對(duì)涌入數(shù)據(jù)的全面控制。在一個(gè)或兩個(gè)輸入上的一個(gè)低電平將禁止新數(shù)據(jù)的進(jìn)入且將*一個(gè)觸發(fā)器在下一個(gè)時(shí)鐘脈沖時(shí)重置至低電平。在一個(gè)輸入的高電平使能其他輸入,將決定*一個(gè)觸發(fā)器的狀態(tài)。串行輸入的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘為高電平或低電平時(shí)將被改變,但是僅有滿足設(shè)置和保持時(shí)間要求的信息進(jìn)入。在正向電壓在時(shí)鐘脈沖轉(zhuǎn)換期間,數(shù)據(jù)串行轉(zhuǎn)移入和移出8位寄存器。清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān),通過(guò)清零輸入的低電平實(shí)現(xiàn).74HCT邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS MM.7HCT器件專用于TTL和NMOS組件與標(biāo)準(zhǔn)CMOS器件之間的接口。另外,這些器件也是LS-TTL器件的插件替換件,而且可用于降低現(xiàn)有設(shè)計(jì)的功耗。 特 典型傳播延遲:20 ns 低靜態(tài)電流:40μA,*大值(74HCT系列) 低輸入電流:1μA,*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 兼容TTL輸入 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不...
595高速移位寄存器采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。此器件具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。它包含一個(gè)8位串進(jìn)并移位寄存器,可以饋入8位D型存儲(chǔ)寄存器。該存儲(chǔ)寄存器具有8個(gè)3態(tài)輸出。移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器都提供獨(dú)立的時(shí)鐘。移位寄存器具有直接覆蓋清零,串行輸入和串行輸出(標(biāo)準(zhǔn))引腳,以用于級(jí)聯(lián)。移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器都使用正邊沿觸發(fā)時(shí)鐘。如果兩個(gè)時(shí)鐘連接在一起,則移位寄存器狀態(tài)始終比存儲(chǔ)寄存器提前一個(gè)時(shí)鐘脈沖.74HC邏輯系列在速度,功能和引腳輸出上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。所有輸入通過(guò)鉗位至V CC 和接地的內(nèi)部二極管加以保護(hù),以免因靜電放電而受損。 特性 低靜態(tài)電流*大值(*大值) / ul
帶存儲(chǔ)功能的8位串進(jìn)并出移位寄存器 寬工作電壓范圍2V-6V 可級(jí)聯(lián) 移位寄存器具有直接清零引腳 保證移位頻率:DC到30MHz 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用程序。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
164采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗。它還具有可比低功率肖特基器件的速度。該8位移位寄存器具有門控串行輸入和CLEAR。每個(gè)寄存器位為一個(gè)D類主/從觸發(fā)器。輸入A& B允許對(duì)涌入數(shù)據(jù)的全面控制。在一個(gè)或兩個(gè)輸入上的一個(gè)低電平將禁止新數(shù)據(jù)的進(jìn)入且將*一個(gè)觸發(fā)器在下一個(gè)時(shí)鐘脈沖時(shí)重置至低電平。在一個(gè)輸入的高電平使能其他輸入,將決定*一個(gè)觸發(fā)器的狀態(tài)。串行輸入的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘為高電平或低電平時(shí)將被改變,但是僅有滿足設(shè)置和保持時(shí)間要求的信息進(jìn)入。在正向電壓在時(shí)鐘脈沖轉(zhuǎn)換期間,數(shù)據(jù)串行轉(zhuǎn)移入和移出8位寄存器。清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān),通過(guò)清零輸入的低電平實(shí)現(xiàn).74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型工作頻率:50 MHz 典型傳播延遲:19 ns(調(diào)時(shí)至Q) 寬工作電壓范圍:2V至6V 低輸入電流:1μA,*大值 低靜態(tài)電源電流:80μA,*大值(74HC系列) 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 該產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用...
373高速8路D類鎖存采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能,這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線 LATCH ENABLE(鎖存使能)輸入為高電平時(shí),Q輸出端將要遵照D輸入端。當(dāng)LATCH ENABLE變?yōu)榈碗娖綍r(shí),D輸入端的數(shù)據(jù)將保留在輸出端,直到LATCH ENABLE再次返回高電平。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL(輸出控制)輸入端時(shí),所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài),不管其他輸入端存在什么信號(hào),也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何.74HC邏輯系列在容量。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:18 ns 寬工作電壓范圍2至6V 低輸入[0]
輸出驅(qū)動(dòng)能力:15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用法,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
573高速八路D型鎖存器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能,這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口。當(dāng)LATCH ENABLE(LE)輸入為高電平時(shí),Q輸出端將要遵照D輸入端。當(dāng)LATCH ENABLE變?yōu)榈碗娖綍r(shí),D輸入端的數(shù)據(jù)將保留在輸出端,直到LATCH ENABLE再次返回高電平。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于輸出控制OC輸入端時(shí),所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài),不管其他輸入端存在什么74HC邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 。信號(hào),也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何。和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:18 ns 寬工作電壓范圍2至6V 低輸入電流:1μA,*大值 低靜態(tài)電流:80μA,*大值(74HC系列) 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力:15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
T74利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載。該觸發(fā)器具有獨(dú)立的數(shù)據(jù),預(yù)設(shè),清零和時(shí)鐘輸入以及Q和Q#輸出。數(shù)據(jù)輸入上的邏輯電平在時(shí)鐘脈沖正向轉(zhuǎn)換期間被傳輸?shù)捷敵觥nA(yù)設(shè)和清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān),通過(guò)適當(dāng)輸入端的低電平實(shí)現(xiàn).74HCT邏輯系列在速度,功能和引腳排列上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC...
175高速D型觸發(fā)器帶互補(bǔ)輸出,采用先進(jìn)硅柵極CMOS技術(shù)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗干擾度和低功耗以及驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載的能力.MM74HC175 D輸入信息在時(shí)鐘脈沖的正向轉(zhuǎn)換邊沿被傳輸至Q和Q#輸出。每個(gè)觸發(fā)器都由外部提供原碼和補(bǔ)充輸入。所有四個(gè)觸發(fā)器都由一個(gè)共用時(shí)鐘和一個(gè)共用CLEAR控制。清零由CLEAR輸入的一個(gè)負(fù)脈沖完成。所有四個(gè)Q輸出被清零至邏輯“0”,所有四個(gè)Q#輸出設(shè)為邏輯“1”.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:15 ns 寬工作電壓范圍:2-6V 低輸入電流:1μA,*大值 低靜態(tài)電源電流:80μA,*大值(74HC) 高輸出驅(qū)動(dòng)電流:4 mA*小值(74HC) 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般的用法,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
574高速八通道D型觸發(fā)器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能,這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口.D輸入端符合設(shè)置和保持時(shí)間要求的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘(CK)輸入的正向轉(zhuǎn)換期間傳輸?shù)絈輸出。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL(輸出控制)輸入端時(shí),所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài),不管其他輸入端存在什么信號(hào),也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何。 74HC邏輯系列在速度,功能和引腳排列上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延:18 ns 寬工作電壓范圍2V-6V 低輸入電流:1μA,*大值 低靜態(tài)電流:80μA,*大值 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力:15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用程序。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
74A利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載。該觸發(fā)器具有獨(dú)立的數(shù)據(jù),預(yù)設(shè),清零和時(shí)鐘輸入以及Q和Q#輸出。數(shù)據(jù)輸入上的邏輯電平在時(shí)鐘脈沖正向轉(zhuǎn)換期間被傳輸?shù)捷敵觥nA(yù)設(shè)和清零與742C邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:20 ns 寬電源范圍:2-6V 低靜態(tài)電流:40μA,*大值(74HC系列) 低輸入電流: 1μA,*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
574高速八通道D型觸發(fā)器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn),可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能,這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口。在這里(CK)輸入的正向轉(zhuǎn)換過(guò)程中,D輸入端的數(shù)據(jù)(符合設(shè)置和保持時(shí)間的要求)被傳輸?shù)絈輸出端。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL(輸出控制)輸入端時(shí),所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài),不管其他輸入端存在什么信號(hào),也不管74儲(chǔ)邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端,以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲:20 ns 寬工作電壓范圍2-6V 低輸入電流:1μA,*大值 低靜態(tài)電流:80μA,*大值 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力:15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用法,適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
線性穩(wěn)壓器是單片集成電路,設(shè)計(jì)用作固定電壓調(diào)節(jié)器,適用于各種應(yīng)用,包括本地,卡上調(diào)節(jié)。這些穩(wěn)壓器采用內(nèi)部限流,熱關(guān)斷和安全區(qū)域補(bǔ)償。通過(guò)充分的散熱,它們可以提供超過(guò)1.0 A的輸出電流。雖然主要設(shè)計(jì)為固定電壓調(diào)節(jié)器,但這些器件可以與外部元件一起使用,以獲得可調(diào)電壓和電流。 特性 輸出電流超過(guò)1.0 A 無(wú)需外部元件 內(nèi)部熱過(guò)載保護(hù) 內(nèi)部短路電流限制 輸出晶體管安全區(qū)域補(bǔ)償 輸出電壓提供1.5%,2%和4%容差 無(wú)鉛封裝可用 應(yīng)用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 電路圖、引腳圖和封裝圖...
MC33160 線系列是一種線性穩(wěn)壓器和監(jiān)控電路,包含許多基于微處理器的系統(tǒng)所需的監(jiān)控功能。它專為設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)人員提供了經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,只需極少的外部組件。這些集成電路具有5.0 V / 100 mA穩(wěn)壓器,具有短路電流限制,固定輸出2.6 V帶隙基準(zhǔn),低電壓復(fù)位比較器,帶可編程遲滯的電源警告比較器,以及非專用比較器,非常適合微處理器線路同步。 其他功能包括用于低待機(jī)電流的芯片禁用輸入和用于過(guò)溫保護(hù)的內(nèi)部熱關(guān)斷。 這些線引腳雙列直插式熱片封裝,可提高導(dǎo)熱性。 特性 5.0 V穩(wěn)壓器輸出電流超過(guò)100 mA 內(nèi)部短路電流限制 固定2.6 V參考 低壓復(fù)位比較器 具有可編程遲滯的電源警告比較器 未提交的比較器 低待機(jī)當(dāng)前 內(nèi)部熱關(guān)斷保護(hù) 加熱標(biāo)簽電源包 無(wú)鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
530雙路降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路,專用于下游電壓軌的汽車駕駛員信息系統(tǒng)。兩個(gè)通道均可在0.9 V至3.3 V范圍內(nèi)進(jìn)行外部調(diào)節(jié),并可提供高達(dá)1600 mA的電流。轉(zhuǎn)換器的工作頻率為2.1 MHz,高于敏感的AM頻段,并且相位差180°,以減少軌道上的大量電流需求。同步整流提高了系統(tǒng)效率。 NCV896530提供汽車電源系統(tǒng)的其他功能,如集成軟啟動(dòng),逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件還可以與2.1 MHz范圍內(nèi)的外部時(shí)鐘信號(hào)同步。 NCV896530采用節(jié)省空間的3 x 3 mm 10引腳DFN封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 同步整改 效率更高 2.1 MHz開(kāi)關(guān)頻率 電感更小,沒(méi)有AM頻段發(fā)射 熱限制和短路保護(hù) 故障保護(hù) 2輸出為180°異相 降低輸入紋波 內(nèi)部MOSFET 降低成本和解決方案規(guī)模 應(yīng)用 音頻 資訊娛樂(lè)t 儀器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
NCP1532 降壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC 雙通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.
2雙級(jí)降壓DCDC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路,專用于為采用1節(jié)鋰離子電池或3節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用提供新型多媒體設(shè)計(jì)的核心和I / O電壓。兩個(gè)通道均可在0.9V至3.3V之間進(jìn)行外部調(diào)節(jié),每個(gè)通道可提供高達(dá)1.6A的電流,*大電流為1.0A。轉(zhuǎn)換器以2.25MHz的開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行,通過(guò)允許使用小電感(低至1uH)和電容器并以180度異相工作來(lái)減小元件尺寸,從而減少電池的大量電流需求。自動(dòng)切換PWM / PFM模式和同步整流可提高系統(tǒng)效率。該器件還可以工作在固定頻率PWM模式,適用于需要低紋波和良好負(fù)載瞬變的低噪聲應(yīng)用。其他功能包括集成軟啟動(dòng),逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件還可以與2.25 MHz范圍內(nèi)的外部時(shí)鐘信號(hào)同步。 NCP1532采用節(jié)省空間的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引腳uDFN封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 97%效率,50uA靜態(tài)電流,0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池壽命和播放時(shí)間 2.25MHz開(kāi)關(guān)頻率 允許使用更小的電感和電容 模式引腳操作:僅在輕載或PWM模式下自動(dòng)切換PWM / PFM模式 允許用戶在輕載或低噪聲和紋波性能之間選擇低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.3V 復(fù)位輸出引腳...
2B降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路,針對(duì)便攜式應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,采用單節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電。該器件采用0.9 V至3.3 V的可調(diào)輸出電壓,可提供高達(dá)600 mA的電流。它使用同步整流來(lái)提高效率并減少外部部件數(shù)量。該器件還內(nèi)置3 MHz(標(biāo)稱)振蕩器,通過(guò)允許更小的電感器和電容器來(lái)減小元件尺寸。自動(dòng)切換PWM / PFM模式可提高系統(tǒng)效率。其他功能包括集成軟啟動(dòng),逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。 NCP1522B采用節(jié)省空間的薄型TSOP5和UDFN6封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 94%效率,50 uA靜態(tài)電流,0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池壽命和播放時(shí)間 3.0 MHz開(kāi)關(guān)頻率 允許使用更小的電感(低至1uH)和電容 輕負(fù)載條件下PWM和PFM模式之間的自動(dòng)切換 輕載時(shí)的低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.3V 應(yīng)用 終端產(chǎn)品 電源f或應(yīng)用處理器 核心電壓低的處理器電源 智能手機(jī)手機(jī)和掌上電腦 MP3播放器和便攜式音頻系統(tǒng) 數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī) 電路圖、引腳圖和封裝圖...
NCP1529 降壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC 高效率 可調(diào)節(jié)輸出電壓 低紋波 1.7 MHz 1 A.
9降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路,適用于由一節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用。該器件可在外部可調(diào)范圍為0.9 V至3.9 V或固定為1.2 V或1.35 V的輸出范圍內(nèi)提供高達(dá)1.0 A的電流。它使用同步整流來(lái)提高效率并減少外部元件數(shù)量。該器件還內(nèi)置1.7 MHz(標(biāo)稱)振蕩器,通過(guò)允許使用小型電感器和電容器來(lái)減小元件尺寸。自動(dòng)切換PWM / PFM模式可提高系統(tǒng)效率。 其他功能包括集成軟啟動(dòng),逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。 NCP1529采用節(jié)省空間的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封裝和TSOP-5封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 96%效率,28 uA靜態(tài)電流,0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間和播放時(shí)間 1.7 MHz開(kāi)關(guān)頻率 允許使用更小的電感和電容器 在輕負(fù)載條件下自動(dòng)切換PWM和PFM模式 輕載時(shí)的低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同類*佳低紋波 應(yīng)用 終端產(chǎn)品 電池供電應(yīng)用電源管理 核心電壓低的處理器電源 USB供電設(shè)備 低壓直流電源電源管理 手機(jī),智能手機(jī)和掌上電腦 MP3播放器和便攜式音頻系統(tǒng) 電路圖、引腳圖和封裝圖...
系列降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是單片集成電路,非常適合簡(jiǎn)單方便地設(shè)計(jì)降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器(降壓轉(zhuǎn)換器)。該系列的所有電路均能夠以極佳的線 A負(fù)載。這些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定輸出電壓和可調(diào)輸出版本。 此降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器旨在*大限度地減少外部元件的數(shù)量,從而簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)。標(biāo)準(zhǔn)系列電感器針對(duì)LM2575進(jìn)行了優(yōu)化,由多家不同的電感器制造商提供。 由于LM2575轉(zhuǎn)換器是一種開(kāi)關(guān)電源,與傳統(tǒng)的三端線性穩(wěn)壓器相比,其效率要高得多,特別是在輸入電壓較高的情況下。在許多情況下,LM2575穩(wěn)壓器消耗的功率非常低,不需要散熱器,也不會(huì)大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的輸入電壓和輸出負(fù)載條件下保證4%的輸出電壓容差,以及振蕩器頻率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部關(guān)斷,具有80 uA典型待機(jī)電流。輸出開(kāi)關(guān)包括逐周期電流限制,以及在故障條件下進(jìn)行全保護(hù)的熱關(guān)斷。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可調(diào)輸出版本 可調(diào)版本輸出電壓范圍為1.23 V至37 V +/- 4%*大線 A輸出電流 寬輸入電壓范圍:4.75 V至40 V 僅需要4個(gè)外部元件 ...

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