目前國產(chǎn)芯片領(lǐng)域又一重大突破，合肥長鑫存儲公司自研并開始量產(chǎn)了純國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存條！

　　*近，合肥長鑫儲存科技公司官網(wǎng)信息顯示：該公司的使用自主19nm制造工藝生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)開始批量出貨，進入銷售階段。從產(chǎn)品信息來看，長鑫公司國產(chǎn)的DDR4存儲芯片單片容量8Gb，速率為2666Mbps，參數(shù)屬于主流水平。

　　按照規(guī)劃，長鑫存儲公司還將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線和LPDDR5內(nèi)存。在工藝方面，長鑫公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM，并計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。（合肥長鑫是設(shè)計制造一體型公司，有自己的工廠）

　　合肥長鑫公司是由國家半導體大基金扶持的一家國家儲存領(lǐng)域科技公司，是國家儲存領(lǐng)域重大科技布局的關(guān)鍵一部分。可以說，合肥長鑫公司是國家在儲存芯片領(lǐng)域想要實現(xiàn)突破的決心而成立的。

　　說起內(nèi)存*對會讓眾網(wǎng)友心痛，中國一年進口芯片金額達到2000多億美元，折合成人民幣就是上萬億，其中內(nèi)存芯片占了約三分之一，是880多億美元，其中一半來自于韓國。

　　韓國的三星、海力士和美國的鎂光，三家是全球內(nèi)存市場的*對霸主，時不時工廠、工廠停電、產(chǎn)能不足等大家心知肚明的借口來操縱內(nèi)存漲價，去年內(nèi)存價格漲幅超過50%，一度成為*佳理財產(chǎn)品。

　　由于儲存芯片技術(shù)被國外完全壟斷，使得國家不得不研究發(fā)展自主設(shè)計開發(fā)儲存芯片。

　　做內(nèi)存芯片市場九死一生，需要舉國家之力，不是一家企業(yè)可以抗衡的。因此，2016年我國政府半導體大基金扶持了本土內(nèi)存生產(chǎn)商，合肥長鑫、武漢長江存儲、福建晉華三家公司應運而生。

　　（1）晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領(lǐng)域。

　　（2）合肥長鑫主要研發(fā)19納米制程的12英寸晶圓DRAM，填補國產(chǎn)DRAM存儲器在本國市場的空白。

　　武漢長江儲存成功研制出64層3D NAND Flash儲存芯片，采用長江存儲自主研制的Xtacking架構(gòu)。按照規(guī)劃，長江存儲計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。

　　合肥長鑫使用自主19nm制造工藝生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)開始批量出貨，進入銷售階段。其DDR4存儲芯片單片容量8Gb，速率為2666Mbps，參數(shù)屬于主流水平。

　　福建晉華目前被美國“制裁”，仍然在專注于研究隨機存取存儲器（DRAM）領(lǐng)域。暫未出產(chǎn)品。

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