存儲器是半導體行業的一大分支，幾乎人們常見的電子設備都需要用到存儲器。存儲器芯片的應用領域十分廣泛。在全球半導體總產值中，存儲器就占到三分之一左右。存儲器主要分為易失存儲器和非易失存儲器，前者包括DRAM和SRAM，后者主要包括NAND Flash和NOR Flash。其中，DRAM內存和NAND閃存可說是存儲器領域的兩大支柱產業。以2018年時的數據為例，當時DRAM內存占整個存儲器市場的58%，NAND閃存則占40%。

　　此外，DRAM廠商也已從過去的“百花齊放”逐步演進到了目前的“三足鼎立”格局——全球DRAM存儲器市場高度集中于三星、海力士和美光三家大廠，三家大廠共占得了95%左右的市場份額。根據TrendForce集邦咨詢的統計，即便是在*新的2021年*一季度，三星、海力士和美光在市場上的份額分別為42.0%、29.0%和23.1%。

　　在半導體國產化大潮下，存儲器肯定是一大重點。而長鑫存儲和長江存儲顯然是國產存儲器領域的兩個排頭兵，在業界持續受人關注。長鑫存儲量產DDR4內存打破國產零記錄，長江存儲4年三級跳趕上主流百層NAND閃存，追趕與并肩，被海外企業壟斷的存儲市場正不斷涌現“中國廠商身影”。恰逢全球存儲市場景氣高企的周期，量價齊升背景下，存儲芯片國產化進程更是引起一片聚焦。

　　就在近日，國產DRAM存儲器之光長鑫存儲第二期12寸廠房舉行了奠基儀式。據悉，這座新廠房是為將來進入1y nm以下工藝節點（接近15nm工藝）所做的前期準備。長鑫存儲晶圓制造基地項目共分為三期建設三座12寸DRAM存儲器晶圓廠，打造集研發、生產和銷售于一身的存儲器IDM國產化基地，預計三期滿產后產能可達36萬片/月。

　　2017年3月，長鑫存儲項目一期開工建設；2018年1月，廠房建設完成，開始設備搬入，并且陸續完成安裝和驗機，創下同期芯片先進制造廠*快速度；2018年7月，一期開始工藝投片驗證；2019年9月，長鑫存儲宣布自主研發的8Gb DDR4正式量產，采用19nm工藝打造，繼而成為國內首個國產內存供應商，打破國產DRAM內存芯片過去“零”的紀錄。此次長鑫二期項目奠基，表明已經吹響了下一個工藝節點的號角。

　　根據長鑫存儲官網介紹，公司產品目前已有DDR4內存芯片、LPDDR4X內存芯片和DDR4模組。

　　DDR4內存芯片是第四代雙倍速率同步動態隨機存儲器。相較于上一代DDR3內存芯片, DDR4內存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能和更低的能耗。長鑫存儲自主研發的DDR4 內存芯片滿足市場主流需求，可應用于臺式機、筆記本、服務器、消費電子類產品等領域。

　　LPDDR4X內存芯片為第四代超低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多項降低功耗的設計。在高速傳輸上, LPDDR4X內存芯片相較于第三代有著更優越出色的低耗表現，服務于性能更高、功耗更低的移動設備。

　　DDR4模組是第四代高速模組，相較于DDR3模組，性能和帶寬顯著提升，*高速率可達3200Mbps。 DDR4模組是目前內存市場主流產品，可服務于個人電腦和服務器等傳統市場，以及人工智能和物聯網等新興市場。

　　值得補充的是，在技術上，DARM分為DDR系列、LPDDR系列、GDDR系列和HBM系列。DDR是內存模塊中使輸出增加一倍的技術，在當前內存技術領域占據主流；而LPDDR指的是低功耗雙倍數據傳輸率，目的是為降低存儲器功耗。

　　根據長鑫存儲在此前的技術路線圖，DRAM芯片自主研發之路是從19nm（10G1工藝）切入，2019年19nm DDR4、LPDDR4存儲芯片陸續量產，當前正在研發17nm（10G3工藝），中間跳過10G2工藝，之后擬發10G4工藝節點（接近國際大廠15nm/1ynm工藝）。此外，據市場消息稱，長鑫將在2021年完成17nm工藝DDR5和LPDDR5的研發。按照國際大廠在DRAM工藝技術上的推進計劃，10nm級工藝經歷兩次技術迭代，*初為1x nm，介于17~19nm之間；1y nm在14~16nm之間，*新的1z nm在11~13nm之間。

　　歷經2019年內存市場“崩盤”，近來隨著半導體產業進入超級循環周期，存儲器市況也一同進入上升周期。事實上，去年以來，5G、消費電子、物聯網等市場快速發展，加之疫情下在線工作/學習模式興起，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產業持續成長。

　　供需缺口拉大下，存儲芯片一路上漲。其中，2021年第二季度DRAM報價漲幅已進入全年峰值，從4月至6月累計漲幅將達到20~25%。根據TrendForce預測，存儲器原廠庫存偏低，DRAM原廠平均庫存僅3~4周，預估2021年第三季度整體DRAM價格將續漲約3~8%。IC Insights也上調對產值預估，預期全年將成長41%，而且看好下半年價格繼續上漲。

　　DRAM市況進入上升周期，在整體供貨短缺下，國內對DRAM國產化需求自然就更為迫切，而大廠如長鑫存儲正在加大馬力提升產能。此前，據合肥產投集團消息稱，截至2020年底，長鑫存儲12寸存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產能，開始啟動6萬片/月產能建設，實現從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。

　　從合肥長鑫迅猛提升的投片量也可看出，長鑫對沖刺DRAM市場的積極性。2020年*一季度，長鑫投片量為1萬片/月，而到了第四季度，快速提升至4.5萬片/月，TrendForce甚至預估，長鑫存儲2021年四季度投片量將達8.5萬片/月。

　　市場前景可期，業界預期，長鑫存儲將在2021年進入規模量產的關鍵期。而隨著此次合肥長鑫DRAM擴產和先進工藝研發的舉動，無疑是為國產DRAM內存芯片注入了一針強心劑。值得一提的是，繼2020年底完成一輪百億融資后，2021年初，市場再度傳出長鑫存儲“謀劃”二輪超百億融資。

　　盡管合肥長鑫腳步加速，但仍舊要面對國際大廠的高墻聳立。據Tom Coughlin的市場報告顯示，2020年，長鑫每月交付DRAM晶圓約占全球DRAM晶圓總量的2.9%。盡管長鑫投片量在提升，但與三星、海力士、美光三大巨頭的份額相比，作為DRAM新兵的長鑫存儲差距仍然顯眼。

　　此外，雖然長鑫一直在投入并增加產能，但DRAM巨頭同樣沒有停下腳步。三星在2020年投資了數十億美元用于擴充存儲產能；海力士表示，已在韓國耗資超30億美元完成了新DRAM生產基地建設，在國內工廠增加了DRAM產能；此外，南亞科也宣布將投資107億美元建立新的10nm級DRAM晶圓廠，該晶圓廠預計將于2024年開始商用，*一階段的月產能為1.5萬片。

　　另外在DRAM技術上，與三星等一線DRAM廠商相比，長鑫存儲的技術要落后很多。據悉，1z nm（15nm）是目前三星量產DRAM時的*先進技術，三星已計劃在2021年下半年采用14nm節點極紫外線（EUV）光刻技術進行量產，其中15nm技術用于生產單層DRAM，14nm用于生產多層DRAM。海力士計劃在2021年底完成第四代10nm級（1a）EUV節點技術開發并進入量產的目標，至于*早進入1a DRAM量產階段的美光，也計劃從2021年起將EUV光刻技術應用于1a DRAM，2022年將EUV光刻技術應用于更新一代的1β DRAM。

　　顯而易見的是，在DRAM巨頭廠商爭相發力下，合肥長鑫當前的舉動不會對當前DRAM市場格局產生什么影響。不過，也有業內人士認為，受益于長鑫存儲DRAM推出，國內存儲器可以實現中低端領域的部分替代，對國際DRAM存儲巨頭的市場策略具有一定的平衡作用。盡管當前格局難以挑動，但在存儲國產替代的路上，合肥長鑫正一步一腳努力前行。

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