因為我國芯片產業起步較晚，在源頭基礎上創新不足，國產芯片一直高度依賴進口。

　　雖然在華為事件發生后，中國半導體產業各端都加大了力度研發，相關企業也取得了不錯的成績，但在存儲芯片這一細分領域仍然被海外企業所壟斷。

　　據了解，存儲芯片是集成電路市場中占比*大，且應用*廣泛的品類，行業規模巨大，且在逐漸增長中。

　　TechWeb曾報道，有研究機構數據顯示，到2023年全球存儲芯片市場規模，預計會達到1804億美元，約合人民幣1.149萬億元。

　　但遺憾的是，全球存儲芯片行業的壟斷程度非常高，來自日本、韓國、美國的企業拿走了大部分市場份額，尤其是在內存DRAM和閃存NAND FLASH市場。

　　據了解，在眾多存儲芯片中，內存DRAM和閃存NAND FLASH的應用*為廣泛，但在這兩大市場，壟斷態勢也*為嚴峻。

　　12月26日IT之家消息，市場調查機構Omdia數據顯示，目前DRAM市場基本被三星電子、SK海力士、美光三家企業瓜分。

　　具體來看，三星在DRAM市場的占比達到43.9%，SK海力士緊隨其后，占比27.6%，而美光以22.7%的市場份額排名第三，這三家企業所占份額總計94.2%。

　　但要知道，中國是全球存儲芯片重要需求市場，世界半導體貿易統計協會統計數據顯示，中國存儲芯片市場在2023年的市場規模有望達到6492億元人民幣。

　　而DRAM又是存儲器分支中市場規模*大的產品，中國在這一細分領域受制于人，必然會影響相關產業鏈的發展，一旦外企因為某些原因斷供中國企業，那么中國整個電子產業都將陷入困境。

　　因此，近些年國內各方勢力一直在努力研發、創新，試圖在整個存儲芯片領域獲得更多的話語權。

　　慶幸的是，在政府、政策的推動下，國內不少存儲芯片領域的企業都取得了長足進步，例如紫光南京、福建晉華、合肥長鑫等，已經成長為國內DRAM存儲領域的巨頭。

　　其中，合肥長鑫被業內外視作我國短期內完成DRAM國產替代*大的希望。公開資料介紹，合肥長鑫主要生產移動DRAM，目前已經具備量產能力，而且是中國大陸*一一家能夠自主生產DRAM的廠商。

　　從技術方面來看，合肥長鑫DRAM正處于17nm研發階段，計劃在今年完成17nm的工藝研發，并開展DDR5 DRAM產品研發。雖然技術較三星、SK海力士和美光落后了4年，但能取得這一成績已是十分不易。

　　眾所周知，存儲芯片屬于技術密集型產業，因為技術門檻頗高，而中國在這一領域的產業基礎又較為薄弱，想要在美韓企業的壟斷下有所突破并不容易。

　　不僅如此，在存儲芯片突圍的過程中，還需要大量的資金投入，這相關企業來說也是一個不小的壓力。因此，合肥長鑫能在美韓巨頭的包圍下取得如今的成績，這非常值得我們驕傲。

　　另外，合肥長鑫還在加速擴充產能，于今年6月份舉行了第二期12寸廠房的奠基儀式。預計在三期目標完成并滿產后，合肥長鑫的產能有望達到36萬片/月。

　　不過，我們也該清楚的認識到，合肥長鑫雖然在夾縫中實現突圍，但在中國乃至全球DRAM市場上的話語權仍然非常低。中國企業想要在存儲芯片領域擺脫海外企業的壟斷，還有很長的一段路要走。

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