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【嗶哥嗶特導讀】根據全球市場研究機構集邦咨詢*新報告指出,隨著中國龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的存儲器領域,中國包含福建晉華、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。
我國半導體發展風起云涌,在市場、國安等考慮下,存儲器成為中國重點發展項目。
根據全球市場研究機構集邦咨詢*新報告指出,隨著中國龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的存儲器領域,中國包含福建晉華、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。
集邦咨詢指出,中國存儲器產業的發展,盡管早期如紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終,或是并購相關技術母廠多失敗收場,但中國積極吸收專業人才,無論是臺灣地區的建廠人才,或是日韓的技術人才皆為中國半導體廠目標,并且從技術授權轉為自主研發,處處可見中國進軍存儲器產業的強烈決心。
從存儲器產品中的DRAM產業來看,中國在發展策略上已有逐步收斂之勢,并非雜亂無章。以技術布局的角度觀察,中國DRAM領域中除了繪圖用內存未有廠商布局,其他都有廠商按照計劃發展中。
中國DRAM產業目前已有福建晉華、合肥長鑫兩大陣營。福建晉華專注利基型內存的開發,主攻消費型電子市場,有望憑借著中國本有的龐大內需市場壯大自身產能,甚至在補貼政策下,預估*快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略,并且有機會取得技術IP走向國際市場。
相較于福建晉華避開國際大廠的主力產品,合肥長鑫直搗國際大廠*核心的行動式內存產品。
行動式內存已是內存類別中占比*高的產品,其省電技術要求極高,開發難度相當高。
然而,中國品牌手機出貨已占全球逾四成,倘若LPDDR4能順利量產并配合補貼政策,中國政府進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察中國在NAND Flash領域的發展,以紫光集團旗下的長江存儲為中國*快成軍的開發廠商,初期也將以中國內需市場的布局為主。由于長江存儲開發早期技術力不足,難以與一線大廠相抗衡,預估其初期產品會以卡碟類為大宗。
隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會進軍SSD市場,但此市場技術競爭相當激烈,沒有中國政府的支持,短期會難以在成本上取得優勢,利用中國內需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立后,將專注于NOR Flash的開發,雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯,但隨著長江存儲于武漢未來城基地建構完成后,未來也將各自獨立。
集邦咨詢指出,以目前現況來看,中國發展存儲器的策略能否成功,未來的3~5年將是極其重要的關鍵期,特別是強化IP的布局,中國政府以及廠商未來必須憑借內需市場、優秀的開發能力,以及具國際水平的產能,取得與國際廠商*有利的談判籌碼,才有機會立足全球并占有一席之地。
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日前,華虹半導體近期宣布將全面發力與IGBT產品客戶的合作,積極打造IGBT生態鏈,提升特色工藝。值得一提的是,存儲以長江存儲、合肥長鑫、福建晉華為代表,本次長江存儲擴充光刻機數量將進一步提升晶圓產量,并為其他配套其他設備帶來機會。
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據經濟日報消息稱,聯電內部協助福建晉華開發DRAM的團隊在近期展開裁員行動,裁員人數估達上百人。這些被裁人員當中,一部分陸續找到新東家,另一部分回流臺灣,回流臺灣的人員將協助華邦電擴大自主研發陣容,這是2019年首批半導體人才從大陸回流臺灣的事件。
據經濟日報消息稱,聯電內部協助福建晉華開發DRAM的團隊在近期展開裁員行動,裁員人數估達上百人。這些被裁人員當中,一部分陸續找到新東家,另一部分回流臺灣,回流臺灣的人員將協助華邦電擴大自主研發陣容,這是2019年首批半導體人才從大陸回流臺灣的事件。
美國對大陸內存廠商福建晉華發布禁售令,重創中國的半導體美夢,中國當局或許打算另辟蹊徑,強化半導體產業。
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AIoT 似乎遵循了類似于 1980 年代微處理器發展方式的發展路徑。處理開始于處理不同任務的獨立設備:通用處理器、存儲器、串行接口外圍設備、并行接口外圍設備等。
提及飛秒激光這種技術,人們往往只會想到與眼睛有關的近視手術,現如今,運用飛秒激光近視手術以幫助患者恢復正常視力的案例在國內外都并非新鮮事了,可沒想到這種技術竟與存儲器搭上了線,而今取得重要進展。
受惠與全球5G市場的發展,再加上全球疫情趨緩,全球存儲器事業逐漸恢復合理化。存儲器需求以及價格都在增漲。全球DRAM市場格局三分天下,其中韓國企業在DRAM市場與NAND Flash市場中占據較大份額,可見韓國廠商在DRAM,NAND Flash兩類數據存儲器產業鏈影響力突出。
今日,存儲芯片制造商三星電子宣布,它已開始使用極紫外光刻(EUV)技術量產業界*小的14納米DRAM芯片。
美光科技不僅生產服務于數據存儲市場的NAND存儲芯片,還生產廣泛應用于數據中心、個人電腦等設備的DRAM存儲芯片。該公司預計,這兩種芯片的出貨量近期將相繼出現下滑。
近年來國產芯片廠商在SSD主控芯片上不斷取得突破,此前英韌科技發布了多款PCIe 4.0主控芯片,包括Rainier IG5236及IG5636(企業級)等,現在他們又推出了新一代無DRAM緩存的PCIe 4.0主控RainierQX,速度可達7GB/s。
供方預計需求強勁,對市場樂觀,但買方有較高的庫存,需要時間消耗庫存,雙方分歧嚴重。
DRAM模塊制造商宇瞻科技總裁ChangCK表示,盡管DRAM合同價的不確定性增加,但價格不太可能在2022年崩盤,因為主要供應商仍對增加晶圓產能持謹慎態度。
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