原標題：【推仔說新聞】合肥長鑫已將內存工藝提升至10nm級別 并宣稱即將量產

　　在日前開幕的中國閃存技術峰會上面，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士發表了名為《DRAM技術趨勢與行業應用》的主題演講。

　　在這個演講中不僅提及了有關于內存技術的應用發展等問題，同時也說明了長鑫自己內存技術的來源和改進，指出了合肥長鑫已將奇夢達的46nm內存工藝提升到了10nm級別。

　　其實在之前的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明就發表過演講，演講中提到了長鑫的DRAM內存的技術來源，主要就是已破產的奇夢達公司。

　　目前的長鑫獲得了獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據，并在這些技術和數據的技術上進行改進研發。

　　并且合肥長鑫宣布，投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主制造項目投產，該項目將生產國產*一代10nm級8Gb DDR4內存。

　　董事長朱一明表示，“投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。”

　　至于良品率和產能等問題，合肥長鑫并沒有公布具體的數據，但是宣稱其10nm級內存已經獲得工信部旗下檢測機構，中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

　　在推仔看來，雖然我們不得不說我們距離世界一線的DRAM顆粒制造還是有不小的距離，但是我們憑借著奇夢達公司已經成功的實現的追趕，畢竟現在大家都是非常理性的，從國產的NAND顆粒就可見一斑，大家對于我們真正意義上的國產還是能夠包容的。

　　此外要跟大家說明的一點便是，為什么說10nm級就已經實現了追趕，原因還是在于隔壁的PPT大廠三星，其命名的1Xnm、1Ynm、1Znm都是10nm級別的工藝。

　　此外有一個事情讓我沉思，在*近的內存和閃存市場上面，其實都有過可以抬價的窗口期，但是整個市場行情卻沒有起來，這會不會是與我們成功國產化了DRAM和NAND顆粒有關呢？返回搜狐，查看更多

產業招商/廠房土地租售：400 0123 021
或微信/手機：13524678515;?13524678515;?13524678515?
請說明您的需求、用途、稅收、公司、聯系人、手機號，以便快速幫您對接資源。?
長按/掃一掃加葛毅明的微信號

掃一掃關注公眾號