如果為風水輪流轉添加注解，那么存儲芯片領域則是*佳實例，而如果為“打臉”戲碼尋找主角，存儲芯片業內廠商們則當仁不讓，如果美日韓均曾經或正是存儲王者，后進者諸如長鑫又憑什么不能去爭一爭！

　　彼時，包括英特爾、IBM、摩托羅拉、美光、Mostek National以及德州儀器在內的廠商，鑄就美國包括DRAM在內的整個內存領域霸業。

　　上世紀70年代中期，日本半導體靈魂人物垂井康夫率領日立、NEC、富士通、三菱與東芝，以政府貸款與稅費優惠等措施，向美國發起飽和攻擊，僅用了10年時間便占據內存領域50%市場份額，從美國手中奪下皇冠。

　　幾乎與日本內存產業騰飛同一時期，韓國破釜沉舟并以10年的自殺性投資，且正值美國對日本發起反傾銷，日本半導體出口受到美國毀滅打擊，三星借此借此崛起，將日本趕下半導體神壇，同樣也包括存儲芯片市場。

　　美國、日本與韓國在存儲領域多次起承轉合的王者更迭，目前在DRAM市場已形成三巨頭的寡頭壟斷局面。截止目前，三星市占達43.9％，緊隨其后的是SK海力士（29.5％）與美光（23.5%），三家總市占接近97%。

　　如果此時提及中國存儲芯片廠商沖擊韓國三星們的市場地位，可能會顯得不合時宜。但回溯到上世紀60至90年代，又有誰想到，日本在內存方面擊敗美國后，隨后慘敗給韓國？

　　正如海外知名半導體論壇分析師Robert Maire所言，考慮當前主流存儲廠商仍掙扎于市場供過于求旋渦中時，以及全球政治局勢與資本傾斜，有理由相信，以合肥長鑫為首的DRAM廠商，有較大機會突出重圍，挑戰韓國霸主地位。

　　長江存儲、合肥長鑫與福建晉華被稱為中國存儲三劍客，是本土半導體打破海外廠商壟斷的希望。前者聚焦NAND閃存芯片的研發與生產，而后兩家企業的業務則針對DRAM存儲器。

　　2018年11月，由于與美國DRAM存儲器巨頭美光之間的訴訟糾紛，福建晉華被美國列入出口管制的實體名單，臺灣聯電隨即宣布暫停對其提供技術與研發支撐，直接導致晉華生產與運營陷入停滯狀態。

　　而彼時，晉華生產車間內已有200臺設備就緒，并計劃在1個月后的年底投入小規模量產試驗，官方預計今年初可實現量產，并有很大機會成為首家量產DRAM存儲器的本土廠商。

　　至此，長鑫成為本土DRAM突圍短期內*一的希望。今年9月，長鑫宣布12英寸DRAM生產線已經提前投產，據悉投產的DDR4芯片通過了多個國內外大客戶驗證，將于年底正式交付，這將有助于替代進口DRAM。

　　另外，正如長鑫董事長兼CEO朱一明表示，公司底層技術來自奇夢達（Qimonda），后者自2006年從母公司英飛凌剝離后一路開掛，DRAM產品銷量并穩居全球第二，300mm晶圓領導者和PC及服務器DRAM產品市場*大的供應商之一，戲劇化的是三年后其申請破產。

　　長鑫通過與奇夢達的合作，共將一千多萬份DRAM相關的技術文件（大小約2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6萬項專利申請，據悉長鑫方面隨后對部分技術細節進行修改，以規避美國方面的實體名單出口制裁。

　　綜上，長鑫由于可追溯的專利技術，以及提前在風險規避方面的布局方面，因此其在中美貿易戰不穩定局勢下，仍具備相對穩定的發展空間。

　　技術方面，目前長鑫面對的*大質疑為奇夢達技術聚焦在溝槽式路線，長鑫作為繼承者卻選擇堆棧式技術方向。其實，奇夢達早前已提出過埋入式電柵三極管（Buried Word Line Transistor）的概念，*大限度提升三極管性能，而奇夢達可能只是生不逢時。

　　堆棧式架構在2018年成為主流，奇夢達基于埋入式電柵三極管的46nm產品，在當時已完成研發。但同年金融危機的爆發，致使DRAM價格斷崖式下滑，奇夢達堆棧式技術還未正式進入量場階段，便于2009年宣告破產，隨后該項技術/方案被無限期雪藏。

　　業內人士稱，通過對比三星、SK海力士與美光的主流DRAM產品與方案，均與早前奇夢達的堆棧式架構有異曲同工之妙，包括DRAM單元三極管以及蜂窩式電容結構等，也從另一角度說明各廠商間的殊途同歸。

　　而值得一提的是，長鑫從奇夢達手中接過堆棧式架構的相關技術專利，并通過引入雙重圖案對準（SADP）以及四重圖案對準（SAQP）等技術，并從內外雙面電容逐漸走到外部的單面積電容（柱狀電容），成功將奇夢達的46nm平穩推進至10nm。

　　此外，先進晶圓代工工藝在摩爾定律影響下，已發展至5nm及以下制程，DRAM工藝不可避免的也將走向10nm 以下。因此，開發環繞式三節晶體管結構 GAA（Gate-all-around）以及其他新型的存儲器技術等是大勢所趨。

　　長鑫方面的消息是，該公司已開始在HKMG、EUV和GAA等新技術方面的探索。長鑫采用從研發到生產的IDM（Integrated Device Manufacture）的模式。截止目前，一期廠房設計月產能12萬片12英寸晶圓，裝機月產能2萬片，正在評估年底月產能4萬片的可行性。

　　目前來看，長鑫在產能為每月2萬片，與巨頭三星們的不可同日而語。但無法忽視的是中國廠商在技術與生產層面達到相應水平后，不計成本以占領市場份額的激進方式，以及本土市場強大的需求與消化能力。因此，市場潛力也是分析師Robert Maire看好長鑫的主要原因。

　　此外，鑒于傳統DRAM廠商追逐利潤的運營模式，在產能保證前提下，如果長鑫強勢發起市場攻占策略，之于原本脆弱的DRAM供需市場將是重磅炸彈，若傳統廠商保持價格不變來應對，直接的后果則是新一輪DRAM產品大規模堆積。

　　三星在行業低谷期多次利用“反周期”定律，加劇行業虧損，迫使同行業企業破產，*終牢牢占據行業頭把交椅。而可以預知的是，在不遠的將來，長鑫也將由可能具備向三星發起以其人之道還治其人之身的挑戰。

　　產能方面，中國具有實現包括DRAM在內的存儲芯片量產的能力。舉個簡單的例子，中國市場占據美國半導體系統控制與產出管理設備廠商KLA全年營收的1/3，但中國廠商的半導體相關產出卻沒有達到全球1/3的規模，特別是在DRAM在內的存儲芯片領域的產能。

　　因此，該現象說明在半導體生產設備的利用率方面，中國廠商還存在巨大的進步空間，但是隨著設備利用與磨合的進一步深入，本土廠商在短時間內，仍有較大機會在現有設備資源情況下，釋放相當大部分的產能。

　　復盤DRAM歷史發展，審視以長鑫為代表的本土廠商，擁抱主流技術（堆棧式架構）與創新型存儲技術的引入，本土強勁的內需驅動，技術專利糾紛風險的規避，以及生產設備釋放的產能潛力。

　　因此，與其唱衰，不如多點陽光，以夢為馬，靜候長鑫在DRAM市場突出重圍的好消息。

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