合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立，從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn)，其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。

　　Source：微博截圖 合肥長(zhǎng)鑫的子公司睿力集成電路有限公司于 2020 年 12 月 14 日實(shí)施了一輪戰(zhàn)略投資，引入安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資，總金額高達(dá) 156.50 億元。 長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒通過(guò)了包括英特爾AMD主流或*新平臺(tái)進(jìn)行的單通道、雙通道滿載測(cè)試等兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，篩選后的內(nèi)存芯片還具有超頻潛力。目前該公司生產(chǎn)的DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存顆粒采用 19nm 制程工藝制造，*高頻率 3200MHz，2020 年起已經(jīng)開始大規(guī)模對(duì)外供貨。 *新消息顯示，合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃 2021 年完成 17nm 技術(shù)研發(fā)，加速向 DDR5 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。

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　　美光、華邦存儲(chǔ)業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng) 調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)第三季存儲(chǔ)器價(jià)格小幅上漲3~8%

　　7月13日，TrendForce集邦咨詢*新調(diào)查顯示，由于買方在今年上半年對(duì)各電子元件的購(gòu)買量大增，....

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　　近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級(jí)工藝的8Gb ....

　　[table] [tr][td=496]程控二階有源帶通濾波器 設(shè)計(jì)一個(gè)中心頻率可控的二階有...

　　近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4....

　　74LS08是74XXYY系列集成電路芯片之一，有四個(gè)AND門，每個(gè)門帶有兩個(gè)輸入，是2輸入四正與門....

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　　在中國(guó)眾多集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展繁榮的城市中，南京是勇猛建設(shè)晶圓廠的“先鋒派”。 2021年開年以來(lái)，由于....

　　本周，少有大新聞的晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）發(fā)布了一則引人注目的消息，該公司將....

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高景氣正在向封測(cè)環(huán)節(jié)傳導(dǎo)。近日，通富微電、長(zhǎng)電科技先后發(fā)布2021年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告。通富....

　　Digi-Key Electronics主辦全新FastBond設(shè)計(jì)大賽，以期推動(dòng)互聯(lián)設(shè)備創(chuàng)新

　　Digi-Key 日前宣布主辦 FastBond 工程大賽，這是一場(chǎng)推動(dòng)工程創(chuàng)新的全新設(shè)計(jì)大賽，舉辦....

　　騰訊云、阿里、云曙光、瀾起科技等大數(shù)據(jù)企業(yè)已確認(rèn)參展，積極助推數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動(dòng)大數(shù)據(jù)、智能化服務(wù)廣....

　　2018年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈良好發(fā)展趨向。數(shù)據(jù)顯示，2018年全球集成電路市場(chǎng)全年總銷售額約4784億美元，同比增速超過(guò)10%。此外，近...

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　　Dukosi Limited采用Scienlab 測(cè)試解決方案開發(fā)電池管理集成電路

　　2021年6月28日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，該公司已被電池管理技術(shù)供應(yīng)....

　　74ls20是常用的雙4輸入與非門集成電路，常用在各種數(shù)字電路和單片機(jī)系統(tǒng)中，他的cmos版本是74....

　　據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，周三（6月30日）美國(guó)*大記憶芯片廠美光（Micron）公布的本季財(cái)測(cè)高于市場(chǎng)預(yù)期，....

　　ICDIA 2021議程重磅發(fā)布：首屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨IC應(yīng)用博覽會(huì)即將盛大召開

　　大會(huì)為期兩天，*一天上午高峰論壇，下午創(chuàng)新峰會(huì)；第二天為4個(gè)并行主題論壇。同期舉辦為期兩天的“IC應(yīng)....

　　2021年6月8日，在Seeking Alpha的一篇題為“半導(dǎo)體芯片Vs.設(shè)備庫(kù)存：長(zhǎng)期投資者的洞....

　　74ls20是常用的雙4輸入與非門集成電路，常用在各種數(shù)字電路和單片機(jī)系統(tǒng)中，

　　摘要：半導(dǎo)體是電阻率 (p) 和電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和*緣體之間的元素或元素組合。導(dǎo)體的電阻率在 10-8 和10-12 Q cm之間：*緣體 109...

　　摘要：總結(jié)了制造模具的主要步驟。其中一些在過(guò)程的不同階段重復(fù)多次。此處給出的順序并不反映制造過(guò)程的真實(shí)順序。硅芯片形成非...

　　什么是單片機(jī)單片機(jī)：Micro controller，MCU，微控制器，是一種集成電路芯片，它通過(guò)超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力...

　　首先模擬IC設(shè)計(jì)與數(shù)字IC設(shè)計(jì)上有很大的不同。數(shù)字IC的設(shè)計(jì)大多是在抽象的層次上完成的，這些層次的系....

　　《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》0.15 μm 氮化鎵 (GaN) 微波集成電路設(shè)計(jì)

　　摘要：圖 1 顯示了*一個(gè)芯片布局圖，其中包括一個(gè)寬帶高三階截取低噪聲放大器(LNA)、一個(gè) 30-GHz 單級(jí) PA、兩個(gè)并聯(lián)組合...

　　主要有一些二輸入三輸入的門電路的集合芯片，如或門，與門，非門，或非門等等。

　　來(lái)源：文章轉(zhuǎn)載自《科技導(dǎo)報(bào)》，作者：王陽(yáng)元，謝謝。 日前，一條#院士說(shuō)不解決卡脖子問(wèn)題死不瞑目#的話....

　　L298N是專用驅(qū)動(dòng)集成電路，屬于H橋集成電路，與L293D的差別是起輸出電流增大，功率增強(qiáng)。其輸出電流為2A，*高電流4A，*...

　　與任何生產(chǎn)行業(yè)一樣，電子行業(yè)也在不斷發(fā)展和進(jìn)步。目前，*大的趨勢(shì)之一是小型化，因?yàn)楦『透p的組件需....

　　我們知道， SSD，也就是固態(tài)盤， 不僅性能明顯高于傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（HDD）， 且*大容量也已超過(guò)機(jī)....

　　近兩年以來(lái)，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代需求越來(lái)越強(qiáng)烈，同時(shí)對(duì)集成電路行業(yè)也越來(lái)越重視，高科技人才....

　　LPDDR5 DRAM芯片有什么性能？ LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能？...

　　什么是AMBA？ 現(xiàn)如今，集成電路芯片的規(guī)模越來(lái)越大。數(shù)字IC從基于時(shí)序驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方法，發(fā)展到基于I....

　　一家公司的股東榜，可折射出它實(shí)力的大小。 有這么一家正在沖刺科創(chuàng)板IPO的集成電路公司，股東榜中云集....

　　基于Virtex-5 RocketI0TM GTP收發(fā)器實(shí)現(xiàn)串行高速接口的開發(fā)應(yīng)用

　　Virtex-5 RocketI0TM GTP是Xilinx公司根據(jù)高速串行接口開發(fā)市場(chǎng)對(duì)高性能GT....

　　隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展和單片機(jī)應(yīng)用的普及，許多便攜式智能儀儀器儀表以及在特殊條件下應(yīng)用的傳感器和智....

　　據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，由于在全球半導(dǎo)體嚴(yán)重短缺的情況下，中國(guó)全力生產(chǎn)芯片，中國(guó) 5 月份的集成電路 （IC....

　　近期，上海橙科微電子科技有限公司作為臨港打造臨港國(guó)際創(chuàng)新協(xié)同區(qū)域所吸引的優(yōu)秀集成電路領(lǐng)域企業(yè)，應(yīng)邀參....

　　2021年6月10日，今年2月，美光宣布已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDD....

　　湖南三安點(diǎn)亮中國(guó)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線日上午，位于長(zhǎng)沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體正式點(diǎn)亮投產(chǎn)。

　　中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園獲評(píng)2020-2021中國(guó)十大集成電路高質(zhì)量發(fā)展特色園區(qū)。 6月9日，2021世....

　　在之前舉辦的Computex上，AMD發(fā)布了其實(shí)驗(yàn)性的產(chǎn)品，即基于3D Chiplet技術(shù)的3D V....

　　02 NOR門利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度，同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗。所有門帶緩沖輸出，具有高抗擾度，可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：8 ns 寬電源范圍：2-6V 低靜態(tài)電源電流：20 μA，*大值（74HC系列） 低輸入電流：1μA，*大值 高輸出電流：4 mA（*小值） 應(yīng)用 這個(gè)p產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　00 NAND門利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度，同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗。所有柵極都有緩沖輸出。所有器件都有高抗擾度，并且能夠驅(qū)動(dòng)10 LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：8 ns 寬電源范圍：2-6V 低靜態(tài)電流：20μA，*大值（74HC系列） 低輸入電流：1μA，*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　U04反相器利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL門電路相似的操作速度，同時(shí)保持了標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的低功耗.MM74HCU04是一款無(wú)緩沖反相器。它具有高抗擾度，并且能夠驅(qū)動(dòng)15 LS-TTL負(fù)載.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：7 ns 15 LS-TTL負(fù)載的高扇出 靜態(tài)功耗：室溫條件下*大值為10μA 低輸入電流：1μA，*大值 應(yīng)用 本產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的產(chǎn)品應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　T164采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗。它還具有可比低功率肖特基器件的速度。該8位移位寄存器具有門控串行輸入和CLEAR。每個(gè)寄存器位為一個(gè)D類主/從觸發(fā)器。輸入A& B允許對(duì)涌入數(shù)據(jù)的全面控制。在一個(gè)或兩個(gè)輸入上的一個(gè)低電平將禁止新數(shù)據(jù)的進(jìn)入且將*一個(gè)觸發(fā)器在下一個(gè)時(shí)鐘脈沖時(shí)重置至低電平。在一個(gè)輸入的高電平使能其他輸入，將決定*一個(gè)觸發(fā)器的狀態(tài)。串行輸入的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘為高電平或低電平時(shí)將被改變，但是僅有滿足設(shè)置和保持時(shí)間要求的信息進(jìn)入。在正向電壓在時(shí)鐘脈沖轉(zhuǎn)換期間，數(shù)據(jù)串行轉(zhuǎn)移入和移出8位寄存器。清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān)，通過(guò)清零輸入的低電平實(shí)現(xiàn).74HCT邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS MM.7HCT器件專用于TTL和NMOS組件與標(biāo)準(zhǔn)CMOS器件之間的接口。另外，這些器件也是LS-TTL器件的插件替換件，而且可用于降低現(xiàn)有設(shè)計(jì)的功耗。 特 典型傳播延遲：20 ns 低靜態(tài)電流：40μA，*大值（74HCT系列） 低輸入電流：1μA，*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 兼容TTL輸入 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不...

　　595高速移位寄存器采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。此器件具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。它包含一個(gè)8位串進(jìn)并移位寄存器，可以饋入8位D型存儲(chǔ)寄存器。該存儲(chǔ)寄存器具有8個(gè)3態(tài)輸出。移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器都提供獨(dú)立的時(shí)鐘。移位寄存器具有直接覆蓋清零，串行輸入和串行輸出（標(biāo)準(zhǔn)）引腳，以用于級(jí)聯(lián)。移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器都使用正邊沿觸發(fā)時(shí)鐘。如果兩個(gè)時(shí)鐘連接在一起，則移位寄存器狀態(tài)始終比存儲(chǔ)寄存器提前一個(gè)時(shí)鐘脈沖.74HC邏輯系列在速度，功能和引腳輸出上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。所有輸入通過(guò)鉗位至V CC 和接地的內(nèi)部二極管加以保護(hù)，以免因靜電放電而受損。 特性 低靜態(tài)電流*大值（*大值） / ul

　　帶存儲(chǔ)功能的8位串進(jìn)并出移位寄存器 寬工作電壓范圍2V-6V 可級(jí)聯(lián) 移位寄存器具有直接清零引腳 保證移位頻率：DC到30MHz 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用程序。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　164采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗。它還具有可比低功率肖特基器件的速度。該8位移位寄存器具有門控串行輸入和CLEAR。每個(gè)寄存器位為一個(gè)D類主/從觸發(fā)器。輸入A& B允許對(duì)涌入數(shù)據(jù)的全面控制。在一個(gè)或兩個(gè)輸入上的一個(gè)低電平將禁止新數(shù)據(jù)的進(jìn)入且將*一個(gè)觸發(fā)器在下一個(gè)時(shí)鐘脈沖時(shí)重置至低電平。在一個(gè)輸入的高電平使能其他輸入，將決定*一個(gè)觸發(fā)器的狀態(tài)。串行輸入的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘為高電平或低電平時(shí)將被改變，但是僅有滿足設(shè)置和保持時(shí)間要求的信息進(jìn)入。在正向電壓在時(shí)鐘脈沖轉(zhuǎn)換期間，數(shù)據(jù)串行轉(zhuǎn)移入和移出8位寄存器。清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān)，通過(guò)清零輸入的低電平實(shí)現(xiàn).74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型工作頻率：50 MHz 典型傳播延遲：19 ns（調(diào)時(shí)至Q） 寬工作電壓范圍：2V至6V 低輸入電流：1μA，*大值 低靜態(tài)電源電流：80μA，*大值（74HC系列） 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用...

　　373高速8路D類鎖存采用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能，這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線 LATCH ENABLE（鎖存使能）輸入為高電平時(shí)，Q輸出端將要遵照D輸入端。當(dāng)LATCH ENABLE變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，D輸入端的數(shù)據(jù)將保留在輸出端，直到LATCH ENABLE再次返回高電平。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL（輸出控制）輸入端時(shí)，所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)，不管其他輸入端存在什么信號(hào)，也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何.74HC邏輯系列在容量。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：18 ns 寬工作電壓范圍2至6V 低輸入[0]

　　輸出驅(qū)動(dòng)能力：15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用法，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　573高速八路D型鎖存器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能，這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口。當(dāng)LATCH ENABLE（LE）輸入為高電平時(shí)，Q輸出端將要遵照D輸入端。當(dāng)LATCH ENABLE變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，D輸入端的數(shù)據(jù)將保留在輸出端，直到LATCH ENABLE再次返回高電平。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于輸出控制OC輸入端時(shí)，所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)，不管其他輸入端存在什么74HC邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 。信號(hào)，也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何。和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：18 ns 寬工作電壓范圍2至6V 低輸入電流：1μA，*大值 低靜態(tài)電流：80μA，*大值（74HC系列） 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力：15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　T74利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載。該觸發(fā)器具有獨(dú)立的數(shù)據(jù)，預(yù)設(shè)，清零和時(shí)鐘輸入以及Q和Q＃輸出。數(shù)據(jù)輸入上的邏輯電平在時(shí)鐘脈沖正向轉(zhuǎn)換期間被傳輸?shù)捷敵觥ｎA(yù)設(shè)和清零與時(shí)鐘無(wú)關(guān)，通過(guò)適當(dāng)輸入端的低電平實(shí)現(xiàn).74HCT邏輯系列在速度，功能和引腳排列上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC...

　　175高速D型觸發(fā)器帶互補(bǔ)輸出，采用先進(jìn)硅柵極CMOS技術(shù)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗干擾度和低功耗以及驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載的能力.MM74HC175 D輸入信息在時(shí)鐘脈沖的正向轉(zhuǎn)換邊沿被傳輸至Q和Q＃輸出。每個(gè)觸發(fā)器都由外部提供原碼和補(bǔ)充輸入。所有四個(gè)觸發(fā)器都由一個(gè)共用時(shí)鐘和一個(gè)共用CLEAR控制。清零由CLEAR輸入的一個(gè)負(fù)脈沖完成。所有四個(gè)Q輸出被清零至邏輯“0”，所有四個(gè)Q＃輸出設(shè)為邏輯“1”.74HC邏輯系列的功能和引腳分配與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：15 ns 寬工作電壓范圍：2-6V 低輸入電流：1μA，*大值 低靜態(tài)電源電流：80μA，*大值（74HC） 高輸出驅(qū)動(dòng)電流：4 mA*小值（74HC） 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般的用法，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　574高速八通道D型觸發(fā)器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能，這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口.D輸入端符合設(shè)置和保持時(shí)間要求的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘（CK）輸入的正向轉(zhuǎn)換期間傳輸?shù)絈輸出。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL（輸出控制）輸入端時(shí)，所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)，不管其他輸入端存在什么信號(hào)，也不管存儲(chǔ)元件的狀態(tài)如何。 74HC邏輯系列在速度，功能和引腳排列上與標(biāo)準(zhǔn)74LS邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延：18 ns 寬工作電壓范圍2V-6V 低輸入電流：1μA，*大值 低靜態(tài)電流：80μA，*大值 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力：15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用程序。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　74A利用先進(jìn)的硅柵極CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了與LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗噪能力和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)10個(gè)LS-TTL負(fù)載。該觸發(fā)器具有獨(dú)立的數(shù)據(jù)，預(yù)設(shè)，清零和時(shí)鐘輸入以及Q和Q＃輸出。數(shù)據(jù)輸入上的邏輯電平在時(shí)鐘脈沖正向轉(zhuǎn)換期間被傳輸?shù)捷敵觥ｎA(yù)設(shè)和清零與742C邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：20 ns 寬電源范圍：2-6V 低靜態(tài)電流：40μA，*大值（74HC系列） 低輸入電流： 1μA，*大值 10 LS-TTL負(fù)載的高扇出 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　574高速八通道D型觸發(fā)器采用先進(jìn)的硅柵極P井CMOS技術(shù)。它們具有標(biāo)準(zhǔn)CMOS集成電路的高抗擾度和低功耗特點(diǎn)，可以驅(qū)動(dòng)15個(gè)LS-TTL負(fù)載。由于具有大輸出驅(qū)動(dòng)能力和3態(tài)功能，這些器件非常適合與總線組織系統(tǒng)中的總線線路接口。在這里（CK）輸入的正向轉(zhuǎn)換過(guò)程中，D輸入端的數(shù)據(jù)（符合設(shè)置和保持時(shí)間的要求）被傳輸?shù)絈輸出端。當(dāng)高邏輯電平應(yīng)用于OUTPUT CONTROL（輸出控制）輸入端時(shí)，所有輸出端進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)，不管其他輸入端存在什么信號(hào)，也不管74儲(chǔ)邏輯系列兼容。保護(hù)所有輸入端，以免因內(nèi)部二極管鉗位至V CC 和地線的靜電放電而受到損壞。 特性 典型傳播延遲：20 ns 寬工作電壓范圍2-6V 低輸入電流：1μA，*大值 低靜態(tài)電流：80μA，*大值 兼容總線導(dǎo)向系統(tǒng) 輸出驅(qū)動(dòng)能力：15 LS-TTL負(fù)載 應(yīng)用 此產(chǎn)品是一般用法，適用于許多不同的應(yīng)用。 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　線性穩(wěn)壓器是單片集成電路，設(shè)計(jì)用作固定電壓調(diào)節(jié)器，適用于各種應(yīng)用，包括本地，卡上調(diào)節(jié)。這些穩(wěn)壓器采用內(nèi)部限流，熱關(guān)斷和安全區(qū)域補(bǔ)償。通過(guò)充分的散熱，它們可以提供超過(guò)1.0 A的輸出電流。雖然主要設(shè)計(jì)為固定電壓調(diào)節(jié)器，但這些器件可以與外部元件一起使用，以獲得可調(diào)電壓和電流。 特性 輸出電流超過(guò)1.0 A 無(wú)需外部元件 內(nèi)部熱過(guò)載保護(hù) 內(nèi)部短路電流限制 輸出晶體管安全區(qū)域補(bǔ)償 輸出電壓提供1.5％，2％和4％容差 無(wú)鉛封裝可用 應(yīng)用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　MC33160 線系列是一種線性穩(wěn)壓器和監(jiān)控電路，包含許多基于微處理器的系統(tǒng)所需的監(jiān)控功能。它專為設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員提供了經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，只需極少的外部組件。這些集成電路具有5.0 V / 100 mA穩(wěn)壓器，具有短路電流限制，固定輸出2.6 V帶隙基準(zhǔn)，低電壓復(fù)位比較器，帶可編程遲滯的電源警告比較器，以及非專用比較器，非常適合微處理器線路同步。 其他功能包括用于低待機(jī)電流的芯片禁用輸入和用于過(guò)溫保護(hù)的內(nèi)部熱關(guān)斷。 這些線引腳雙列直插式熱片封裝，可提高導(dǎo)熱性。 特性 5.0 V穩(wěn)壓器輸出電流超過(guò)100 mA 內(nèi)部短路電流限制 固定2.6 V參考 低壓復(fù)位比較器 具有可編程遲滯的電源警告比較器 未提交的比較器 低待機(jī)當(dāng)前 內(nèi)部熱關(guān)斷保護(hù) 加熱標(biāo)簽電源包 無(wú)鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　530雙路降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路，專用于下游電壓軌的汽車駕駛員信息系統(tǒng)。兩個(gè)通道均可在0.9 V至3.3 V范圍內(nèi)進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，并可提供高達(dá)1600 mA的電流。轉(zhuǎn)換器的工作頻率為2.1 MHz，高于敏感的AM頻段，并且相位差180°，以減少軌道上的大量電流需求。同步整流提高了系統(tǒng)效率。 NCV896530提供汽車電源系統(tǒng)的其他功能，如集成軟啟動(dòng)，逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件還可以與2.1 MHz范圍內(nèi)的外部時(shí)鐘信號(hào)同步。 NCV896530采用節(jié)省空間的3 x 3 mm 10引腳DFN封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 同步整改 效率更高 2.1 MHz開關(guān)頻率 電感更小，沒(méi)有AM頻段發(fā)射 熱限制和短路保護(hù) 故障保護(hù) 2輸出為180°異相 降低輸入紋波 內(nèi)部MOSFET 降低成本和解決方案規(guī)模 應(yīng)用 音頻 資訊娛樂(lè)t 儀器 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　NCP1532 降壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC 雙通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

　　2雙級(jí)降壓DCDC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路，專用于為采用1節(jié)鋰離子電池或3節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用提供新型多媒體設(shè)計(jì)的核心和I / O電壓。兩個(gè)通道均可在0.9V至3.3V之間進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，每個(gè)通道可提供高達(dá)1.6A的電流，*大電流為1.0A。轉(zhuǎn)換器以2.25MHz的開關(guān)頻率運(yùn)行，通過(guò)允許使用小電感（低至1uH）和電容器并以180度異相工作來(lái)減小元件尺寸，從而減少電池的大量電流需求。自動(dòng)切換PWM / PFM模式和同步整流可提高系統(tǒng)效率。該器件還可以工作在固定頻率PWM模式，適用于需要低紋波和良好負(fù)載瞬變的低噪聲應(yīng)用。其他功能包括集成軟啟動(dòng)，逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。該器件還可以與2.25 MHz范圍內(nèi)的外部時(shí)鐘信號(hào)同步。 NCP1532采用節(jié)省空間的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引腳uDFN封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 97％效率，50uA靜態(tài)電流，0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池壽命和播放時(shí)間 2.25MHz開關(guān)頻率 允許使用更小的電感和電容 模式引腳操作：僅在輕載或PWM模式下自動(dòng)切換PWM / PFM模式 允許用戶在輕載或低噪聲和紋波性能之間選擇低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.3V 復(fù)位輸出引腳...

　　2B降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路，針對(duì)便攜式應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，采用單節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電。該器件采用0.9 V至3.3 V的可調(diào)輸出電壓，可提供高達(dá)600 mA的電流。它使用同步整流來(lái)提高效率并減少外部部件數(shù)量。該器件還內(nèi)置3 MHz（標(biāo)稱）振蕩器，通過(guò)允許更小的電感器和電容器來(lái)減小元件尺寸。自動(dòng)切換PWM / PFM模式可提高系統(tǒng)效率。其他功能包括集成軟啟動(dòng)，逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。 NCP1522B采用節(jié)省空間的薄型TSOP5和UDFN6封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 94％效率，50 uA靜態(tài)電流，0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池壽命和播放時(shí)間 3.0 MHz開關(guān)頻率 允許使用更小的電感（低至1uH）和電容 輕負(fù)載條件下PWM和PFM模式之間的自動(dòng)切換 輕載時(shí)的低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.3V 應(yīng)用 終端產(chǎn)品 電源f或應(yīng)用處理器 核心電壓低的處理器電源 智能手機(jī)手機(jī)和掌上電腦 MP3播放器和便攜式音頻系統(tǒng) 數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī) 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　NCP1529 降壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC 高效率 可調(diào)節(jié)輸出電壓 低紋波 1.7 MHz 1 A.

　　9降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器是一款單片集成電路，適用于由一節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用。該器件可在外部可調(diào)范圍為0.9 V至3.9 V或固定為1.2 V或1.35 V的輸出范圍內(nèi)提供高達(dá)1.0 A的電流。它使用同步整流來(lái)提高效率并減少外部元件數(shù)量。該器件還內(nèi)置1.7 MHz（標(biāo)稱）振蕩器，通過(guò)允許使用小型電感器和電容器來(lái)減小元件尺寸。自動(dòng)切換PWM / PFM模式可提高系統(tǒng)效率。 其他功能包括集成軟啟動(dòng)，逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護(hù)。 NCP1529采用節(jié)省空間的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封裝和TSOP-5封裝。 特性 優(yōu)勢(shì) 96％效率，28 uA靜態(tài)電流，0.3 uA關(guān)斷電流 延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間和播放時(shí)間 1.7 MHz開關(guān)頻率 允許使用更小的電感和電容器 在輕負(fù)載條件下自動(dòng)切換PWM和PFM模式 輕載時(shí)的低功耗 可調(diào)輸出電壓0.9V至3.9V 即使在PFM模式下，同類*佳低紋波 應(yīng)用 終端產(chǎn)品 電池供電應(yīng)用電源管理 核心電壓低的處理器電源 USB供電設(shè)備 低壓直流電源電源管理 手機(jī)，智能手機(jī)和掌上電腦 MP3播放器和便攜式音頻系統(tǒng) 電路圖、引腳圖和封裝圖...

　　系列降壓開關(guān)穩(wěn)壓器是單片集成電路，非常適合簡(jiǎn)單方便地設(shè)計(jì)降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器（降壓轉(zhuǎn)換器）。該系列的所有電路均能夠以極佳的線 A負(fù)載。這些器件提供3.3 V，5.0 V，12 V，15 V的固定輸出電壓和可調(diào)輸出版本。 此降壓開關(guān)穩(wěn)壓器旨在*大限度地減少外部元件的數(shù)量，從而簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)。標(biāo)準(zhǔn)系列電感器針對(duì)LM2575進(jìn)行了優(yōu)化，由多家不同的電感器制造商提供。 由于LM2575轉(zhuǎn)換器是一種開關(guān)電源，與傳統(tǒng)的三端線性穩(wěn)壓器相比，其效率要高得多，特別是在輸入電壓較高的情況下。在許多情況下，LM2575穩(wěn)壓器消耗的功率非常低，不需要散熱器，也不會(huì)大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的輸入電壓和輸出負(fù)載條件下保證4％的輸出電壓容差，以及振蕩器頻率的+/- 10％（0C至125C的+/- 2％）。包括外部關(guān)斷，具有80 uA典型待機(jī)電流。輸出開關(guān)包括逐周期電流限制，以及在故障條件下進(jìn)行全保護(hù)的熱關(guān)斷。 特性 3.3 V，5.0 V，12 V ，15 V和可調(diào)輸出版本 可調(diào)版本輸出電壓范圍為1.23 V至37 V +/- 4％*大線 A輸出電流 寬輸入電壓范圍：4.75 V至40 V 僅需要4個(gè)外部元件 ...

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